TPS51200EVM
TPS51200 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
TPS51200EVM
概述
TPS51200EVM 评估板 HPA322A 旨在评估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终端稳压器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压，该存储器涵盖 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 规格，并具有超少的外部元件。
特性
- 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电压轨
- VLDOIN、VDDQ 电压范围：1.2V 至 2.5V
- 内置瞬态负载开关（具有灌入和拉出能力）用于仿真瞬态灌入/拉出行为，有助于评估动态性能。为便于使用，瞬态的负载阶跃和时序都可以通过板载电阻修改，并且也可以在板上监控电流信息。
- DDR：+/-1.67A 灌电流/拉电流瞬态负载
- DDR2：+/-1.2A 灌电流/拉电流瞬态负载
- DDR3：+/-1.0A 灌电流/拉电流瞬态负载
- LP DDR3：+/-0.8A 灌电流/拉电流瞬态负载
- 开关 S1 用于实现使能功能
- 用于探测 PGOOD、CLK_IN 和环路响应测试的便捷测试点
- 2 层 PCB，所有元件都位于底部
MOSFET
多通道 IC (PMIC)
技术文档
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM 用户指南 | Using the TPS51200 Evaluation Module | 2008-5-28 | |||
| 数据表 | TPS51200 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. D) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2020-6-1 | |
| 证书 | TPS51200EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019-1-2 |