TPS51200A-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 AEC-Q100 标准：
- 器件温度等级 1：
–40°C ≤ TA ≤ 125°C - 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 器件温度等级 1：
- 扩展的可靠性测试
- 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
- VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V
- 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
- 所需最小输出电容为 20µF（通常为 3 × 10µF MLCC），用于存储器终端 应用 (DDR)
- 用于监视输出稳压的 PGOOD
- EN 输入
- REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
- 远程检测 (VOSNS)
- ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
- 内置软启动、UVLO 和 OCL
- 热关断
- 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范；支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
- 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装
TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。
此器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。
此外，该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。
此器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS51200A-Q1 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2019年 3月 11日 |
| 应用手册 | DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) | 2020年 7月 9日 |
设计和开发
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评估板
TPS51200EVM — TPS51200 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
TPS51200EVM 评估板 HPA322A 旨在评估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终端稳压器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压，该存储器涵盖 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 规格，并具有超少的外部元件。
用户指南: PDF
参考设计
TIDA-050071 — 用于 ADAS 和信息娱乐系统应用的无电池处理器电源参考设计
汽车无电池处理器电源参考设计提供了一种多功能受保护电源树，用于为常见的高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和信息娱乐系统处理器（如 TDA4x-Q1 和 AM6x-Q1）供电。所述的处理器可与传感器融合系统、摄像头模块和域控制器配合使用。详细指南可帮助设计人员创建受保护的电源系统。为双倍数据速率 (DDR) 存储器和辅助负载提供了额外的电源轨。该设计包含用于对电源轨电压和时序进行编程的板载 MSPM0 微控制器 (MCU)。
设计指南: PDF
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRC) | 10 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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