DRV8263-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
- 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
-
- 可提供用于功能安全系统设计的文档
- 4.5V 至 65V（最大绝对值为 70V）工作电压范围
- MOSFET 导通电阻 (HS + LS)：85mΩ
- 最大输出电流 = 29A
- 可配置的控制模式
- 单全桥，PH/EN 或 PWM 接口
- 使用独立模式实现两个半桥
- 2 个接口选项 - HW 或 SPI
- PWM 工作频率高达 100kHz，具有自动死区时间断言
- 可配置压摆率和适用于低电磁干扰 (EMI) 的展频时钟
- 集成电流检测（无需使用分流电阻器）
- IPROPI 引脚上的比例负载电流输出
-
IPROPI 引脚上的内核温度监测（仅限 SPI）
- 可配置的电流调节
- 具有可配置故障反应（锁存或重试）的保护和诊断性能
- 在断开状态和导通状态下进行负载诊断，以检测开路负载和短路
- 电源 (VM) 上的电压监控
- 过流保护
-
过热警告（仅限 SPI）
- 过热保护
-
断电制动
- nFAULT 引脚上的故障指示
- 支持 1.8V、3.3V、5V 逻辑输入
- 低睡眠电流：25°C 下的典型值为 7µA
- 器件系列比较表
DRV8263-Q1 是一款适用于 24V 和 48V 汽车应用的宽电压、高功率、全集成 H 桥驱动器。该功率封装器件采用 BiCMOS 大功率工艺技术节点设计，提供了出色的电源处理能力和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确电流检测和诊断功能，稳健性较高。
器件集成了 N 沟道、H 桥、电荷泵、高侧电流检测和调节、电流比例输出以及保护电路。集成检测采用电流镜设计，无需分流电阻器，可节省电路板面积并降低系统成本。还提供了一种低功耗睡眠模式，以实现较低静态电流。
器件提供电压监测、负载诊断、过流和过热保护功能。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。器件仅提供两种型号：HW 接口和 SPI 接口。SPI 型号可实现更加灵活的器件配置和故障监测。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 2 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | 具有集成电流检测和诊断功能的 DRV8263-Q1 、 汽车级 65V H 桥 及驱动器 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025年 2月 4日 |
| 应用手册 | 所选封装材料的热学和电学性质 | 2008年 10月 16日 |
设计和开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
DRV8263H-Q1EVM — DRV8263-Q1 有刷直流电机驱动器硬件型号评估模块
DRV8263H-Q1 评估模块 (EVM) 展示了 DRV8263H HotRod™ 封装的特性和性能。DRV8263H-Q1 采用完全集成的半桥驱动器，适用于多种汽车应用。H 桥驱动器非常适合工作电压为 4.5V 至 65V 且最大输出电流为 26A 的高电流应用。
评估板
DRV8263S-Q1EVM — DRV8263-Q1 有刷直流电机驱动器 SPI 型号评估模块
DRV8263S-Q1 评估模块 (EVM) 展示了 DRV8263S HotRod™ 封装的特性和性能。DRV8263S-Q1 采用完全集成的半桥驱动器，适用于多种汽车应用。H 桥驱动器非常适合工作电压为 4.5V 至 65V 且最大输出电流为 26A 的高电流应用。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-HR (VAK) | 15 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。