LMG3650EVM-115
LMG3650R070 ドーターカード
LMG3650EVM-115
概要
この LMG3650 ドーターカードは、ドライバと保護機能を内蔵した 650V GaN FET である LMG3650R070 を 2 個使用してハーフブリッジ構成を採用したほか、必要なバイアス回路と、ロジックまたは電力のレベル シフト機能をいずれも搭載しています。不可欠な電力段、ゲート駆動回路、高周波電流ループはいずれも完全密閉型でオンボード実装しているので、電源ループの寄生インダクタンスの最小化、電圧オーバーシュートの低減、性能向上に貢献します。このドーターカードはソケットを使用して外部接続を行う構成を採用しており、多様なアプリケーションで LMG3650R070 を動作させるときに、外部の電力段との接続を容易に実現できます。このドーターカードを使用する前に LMG3650R070 データシートを参照してください。
特長
- 2 個の TI 650V GaN を TOLL パッケージに封止し、ハーフ ブリッジ構成に配置
- ハイサイドの故障信号に適したデジタル アイソレータ
- 絶縁型バイアス電源とブートストラップ電源オプション
- レイアウトの互換性を重視する絶縁型ゲート ドライバとオープン部品位置を採用し、統合型 GaN TOLL と離散型 GaN TOLL の両方を評価します
- テスト中の放熱に対応するため、ヒートシンクにファンが取り付けられました
- 過熱、過電流、短絡イベントの障害保護と報告機能
- TI の GaN マザー ボードとの互換性を確保する標準的なドーター カード ピン配置
- 650V の絶対最大電圧定格
窒化ガリウム (GaN) 電力段
設計ファイル
技術資料
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| 種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| EVM ユーザー ガイド (英語) | LMG3650R070 Evaluation Module | PDF | HTML | 2025年 1月 17日 | |||
| 証明書 | LMG3650EVM-115 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2024年 12月 16日 |