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LMG3425EVM-043

LMG3425R030 理想ダイオード・モード搭載の 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

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LMG3425EVM-043

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概要

LMG3425EVM-043 は、2 個の LMG3425R030 GaN FET によるハーフ・ブリッジ構成に、ラッチ型過電流保護機能を実装し、必要とされるすべての補助ペリフェラル回路を組み合わせています。  この EVM は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG342XR0XX の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
  • 可変デッドタイムの PWM 信号に対応するオンボードのシングル / デュアル PWM 入力
  • サイクルごとの過電流保護機能
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブによる、ロジックと出力段測定のための利便性の高いプローブ点
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET
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Evaluating LMG3425R030 GaN FET power stage

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Evaluating LMG3425R030 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3425EVM-043 — LMG3425R030 理想ダイオード・モード搭載の 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

必須
これが必要な理由 This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
サポート対象の製品とハードウェア

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評価ボード
LMG342X-BB-EVM — LMG342x 評価基板

LMG3425EVM-043 — LMG3425R030 理想ダイオード・モード搭載の 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

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LMG342X-BB-EVM — LMG342x 評価基板
評価ボード

LMG342X-BB-EVM — LMG342x の評価マザーボード

必須
これが必要な理由 This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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LMG2640EVM-090 — LMG2640 ドーターカード LMG2650EVM-100 — LMG2650 ハーフ ブリッジ ドーターカードの 評価基板 LMG2656EVM-102 — LMG2656 ドーターカード LMG3422EVM-041 — LMG3422R050 600V 50mΩ ハーフブリッジ ドーター カード LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ ハーフブリッジ ドーター カード LMG3425EVM-041 — LMG3425R050 理想ダイオード モード搭載の 600V 50mΩ ハーフブリッジ ドーター カード LMG3425EVM-043 — LMG3425R030 理想ダイオード・モード搭載の 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター カード LMG3650EVM-114 — LMG3650R035 ドーターカード LMG3650EVM-115 — LMG3650R070 ドーターカード
評価ボード
LMG3650EVM-113 — LMG3650R025 ドーターカード
在庫あり
制限：
TI.com で在庫切れ
TI.com で取り扱いなし

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タイプ タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
ユーザー・ガイド LMG342XEVM-04X User Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022/01/30
証明書 LMG3425EVM-043 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020/10/26

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