TXG8122-Q1

プレビュー

車載、2 ビット双方向、80V グランド レベル トランスレータ、I2C 信号用

製品詳細

Rating Automotive Ground offset voltage (max) (V) 80 Bits (#) 2 Topology Open drain Applications GPIO, I2C, SMBus Forward/reverse channels 2/2 Isolation rating Functional Data rate (max) (Mbps) 2 Prop delay (ns) 69 CMTI (V/µs) 500 Output drive capability (max) (mA) 50 Technology family TXG Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 2.25 Vout (max) (V) 5.5 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 4.2 Features AEC Q100
Rating Automotive Ground offset voltage (max) (V) 80 Bits (#) 2 Topology Open drain Applications GPIO, I2C, SMBus Forward/reverse channels 2/2 Isolation rating Functional Data rate (max) (Mbps) 2 Prop delay (ns) 69 CMTI (V/µs) 500 Output drive capability (max) (mA) 50 Technology family TXG Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 2.25 Vout (max) (V) 5.5 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 4.2 Features AEC Q100
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
  • 双方向 I2C 互換通信
  • スタンダード モード、ファースト モード、ファースト モード プラスの I2C 動作をサポート
  • 最大 ±80V の DV シフトをサポート
  • 最大 1MHz のデータ レート
  • サイド 1 電源範囲: 3V ~ 5.5V
  • サイド 2 電源範囲: 2.25V ~ 5.5V
  • 最大容量性負荷:
    • 80pF (サイド 1) と 550pF (サイド 2)
  • 電流シンク能力を持つオープン ドレイン出力:
    • 3.5mA (サイド 1) と 50mA (サイド 2)
  • 400kHz での低消費電力 (標準値):
    • ICC1 = 3.1mA、ICC2 = 0.7mA
  • 動作温度範囲:-40℃~+125℃
  • 500V/µs の CMTI
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 人体モデルで 2000V
    • 荷電デバイス モデルで 500V
  • 提供されているパッケージ・オプション:SOIC (8D)、WSON (8DSG)、SOT-23 (8DDF)
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
  • 双方向 I2C 互換通信
  • スタンダード モード、ファースト モード、ファースト モード プラスの I2C 動作をサポート
  • 最大 ±80V の DV シフトをサポート
  • 最大 1MHz のデータ レート
  • サイド 1 電源範囲: 3V ~ 5.5V
  • サイド 2 電源範囲: 2.25V ~ 5.5V
  • 最大容量性負荷:
    • 80pF (サイド 1) と 550pF (サイド 2)
  • 電流シンク能力を持つオープン ドレイン出力:
    • 3.5mA (サイド 1) と 50mA (サイド 2)
  • 400kHz での低消費電力 (標準値):
    • ICC1 = 3.1mA、ICC2 = 0.7mA
  • 動作温度範囲:-40℃~+125℃
  • 500V/µs の CMTI
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 人体モデルで 2000V
    • 荷電デバイス モデルで 500V
  • 提供されているパッケージ・オプション:SOIC (8D)、WSON (8DSG)、SOT-23 (8DDF)

TXG8122-Q1 デバイスは、I2C 用のデュアル双方向、非ガルバニックベースの電圧およびグランドレベル トランスレータです。このデバイスは、設定可能な 2 つの独立した電源レールをサポートしています。サイド 1 は VCC1 (3V~5.5V の任意の電源電圧を入力できます) に追従するように設計されています。サイド 2 は VCC2 (2.25V~5.5V の任意の電源電圧を入力できます) に追従するように設計されています。従来のレベル シフタと比較して、TXG8122-Q1 は最大 ±80V のさまざまなグランド レベルでの電圧変換の課題を解決できます。GNDA と GNDB の差が -80V~+80V のままである限り、GNDA と GNDB のどちらもオフセットグラウンドを持つことができます。

寄生抵抗または容量による GNDA と GNDB の間に DC シフトが発生する一般的な使用事例を 概略ブロック図 に示します。TXG8122-Q1 は、異なる電源電圧と異なるグランドリファレンスを持つシステム間で、I2C ベースの通信をサポートできます。VCC と GND が短絡したときの GNDA と GNDB の間のリーク電流は通常 50nA です。

TXG8122-Q1 デバイスは、I2C 用のデュアル双方向、非ガルバニックベースの電圧およびグランドレベル トランスレータです。このデバイスは、設定可能な 2 つの独立した電源レールをサポートしています。サイド 1 は VCC1 (3V~5.5V の任意の電源電圧を入力できます) に追従するように設計されています。サイド 2 は VCC2 (2.25V~5.5V の任意の電源電圧を入力できます) に追従するように設計されています。従来のレベル シフタと比較して、TXG8122-Q1 は最大 ±80V のさまざまなグランド レベルでの電圧変換の課題を解決できます。GNDA と GNDB の差が -80V~+80V のままである限り、GNDA と GNDB のどちらもオフセットグラウンドを持つことができます。

寄生抵抗または容量による GNDA と GNDB の間に DC シフトが発生する一般的な使用事例を 概略ブロック図 に示します。TXG8122-Q1 は、異なる電源電圧と異なるグランドリファレンスを持つシステム間で、I2C ベースの通信をサポートできます。VCC と GND が短絡したときの GNDA と GNDB の間のリーク電流は通常 50nA です。

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技術資料

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* データシート TXG8122-Q1 I2C 向け ± 80V 双方向グランドレベル トランスレータ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 6月 12日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TXG-4CH-EVM — TXG 4 チャネル グランド レベル シフタ向け評価基板

TXG-4CH-EVM は、TXGx04x 4 チャネル グランド レベル シフタ製品ファミリを評価するための評価基板 (EVM) です。この評価基板は、16 ピン DBQ、14 ピン DYY、14 ピン RUC など複数のパッケージ オプションをサポートしています。この評価基板は十分な数のテスト ポイントと接続を実装しており、デバイスを評価することができます。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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