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TXG8122-Q1

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車載、2 ビット双方向、80V グランド レベル トランスレータ、I2C 信号用

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TXG8122-Q1

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製品詳細

Rating Automotive Applications GPIO, I2C, SMBus Ground offset voltage (max) (V) 80 Bits (#) 2 Forward/reverse channels 2/2 Isolation rating Functional Data rate (max) (Mbps) 2 Prop delay (ns) 69 CMTI (V/µs) 500 Topology Open drain Technology family TXG Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 2.25 Vout (max) (V) 5.5 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 4.2 Features AEC Q100
Rating Automotive Applications GPIO, I2C, SMBus Ground offset voltage (max) (V) 80 Bits (#) 2 Forward/reverse channels 2/2 Isolation rating Functional Data rate (max) (Mbps) 2 Prop delay (ns) 69 CMTI (V/µs) 500 Topology Open drain Technology family TXG Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 2.25 Vout (max) (V) 5.5 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 4.2 Features AEC Q100
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
  • Bidirectional I2C compatible communication
  • Support for Standard-mode, Fast-mode, and Fast-mode Plus I2C operation
  • Supports DV shifts up to ±80V
  • Data rate up to 1MHz
  • Side 1 Supply Range: 3V to 5.5V
  • Side 2 Supply Range: 2.25V to 5.5V
  • Maximum capacitive load:
    • 80pF (Side 1) and 550pF (Side 2)
  • Open -drain outputs with current sink capability:
    • 3.5mA (Side 1) and 50mA (Side 2)
  • Low power consumption at 400kHz (typical):
    • ICC1 = 3.1mA, ICC2 = 0.7mA
  • Operating temperature from –40°C to +125°C
  • CMTI of 500V/µs
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22
    • 2000V human-body model
    • 500V charged-device model
  • Package options provided: SOIC (8D), WSON (8DSG), SOT-23 (8DDF)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
  • Bidirectional I2C compatible communication
  • Support for Standard-mode, Fast-mode, and Fast-mode Plus I2C operation
  • Supports DV shifts up to ±80V
  • Data rate up to 1MHz
  • Side 1 Supply Range: 3V to 5.5V
  • Side 2 Supply Range: 2.25V to 5.5V
  • Maximum capacitive load:
    • 80pF (Side 1) and 550pF (Side 2)
  • Open -drain outputs with current sink capability:
    • 3.5mA (Side 1) and 50mA (Side 2)
  • Low power consumption at 400kHz (typical):
    • ICC1 = 3.1mA, ICC2 = 0.7mA
  • Operating temperature from –40°C to +125°C
  • CMTI of 500V/µs
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22
    • 2000V human-body model
    • 500V charged-device model
  • Package options provided: SOIC (8D), WSON (8DSG), SOT-23 (8DDF)

The TXG8122-Q1 device is a dual bidirectional, non-galvanic based voltage and ground-level translator for I2C. This device supports two separate configurable power-supply rails. Side 1 is designed to track VCC1 which accepts any supply voltage from 3V to 5.5V. Side 2 is designed to track VCC2 which accepts any supply voltage from 2.25V to 5.5V. Compared to traditional level shifters, the TXG8122-Q1 can solve the challenges of voltage translation across different ground levels up to ±80V. Both GNDA or GNDB can have an offset ground as long as the difference between GNDA and GNDB remains -80V to +80V.

The Simplified Block Diagram shows a common use case where DC shift occurs between GNDA to GNDB due to parasitic resistance or capacitance. The TXG8122-Q1 is able to support I2C-based communication between systems that have different supply voltages and different ground references. The leakage between GNDA and GNDB is typically 50nA when VCC to GND is shorted.

The TXG8122-Q1 device is a dual bidirectional, non-galvanic based voltage and ground-level translator for I2C. This device supports two separate configurable power-supply rails. Side 1 is designed to track VCC1 which accepts any supply voltage from 3V to 5.5V. Side 2 is designed to track VCC2 which accepts any supply voltage from 2.25V to 5.5V. Compared to traditional level shifters, the TXG8122-Q1 can solve the challenges of voltage translation across different ground levels up to ±80V. Both GNDA or GNDB can have an offset ground as long as the difference between GNDA and GNDB remains -80V to +80V.

The Simplified Block Diagram shows a common use case where DC shift occurs between GNDA to GNDB due to parasitic resistance or capacitance. The TXG8122-Q1 is able to support I2C-based communication between systems that have different supply voltages and different ground references. The leakage between GNDA and GNDB is typically 50nA when VCC to GND is shorted.
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* データシート TXG8122-Q1 ± 80V Bidirectional Ground-Level Translator for I2C データシート PDF | HTML 2025年 6月 6日

設計および開発

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評価ボード

TXG-4CH-EVM — TXG 4 チャネル グランド レベル シフタ向け評価基板

TXG-4CH-EVM は、TXGx04x 4 チャネル グランド レベル シフタ製品ファミリを評価するための評価基板 (EVM) です。この評価基板は、16 ピン DBQ、14 ピン DYY、14 ピン RUC など複数のパッケージ オプションをサポートしています。この評価基板は十分な数のテスト ポイントと接続を実装しており、デバイスを評価することができます。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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