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TPSI2240-Q1

プレビュー

車載、1200V、50mA 絶縁スイッチ、強化絶縁およびアバランシェ保護付き

製品詳細

FET Internal Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 1mA avalanche current, Capacitive isolation Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 4750 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 130 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
FET Internal Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 1mA avalanche current, Capacitive isolation Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 4750 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 130 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • Qualified for automotive applications
    • AEC-Q100 grade 1: –40 to 125°C TA
  • Low EMI:
    • Meets CISPR25 class 5 performance with no additional components
  • Integrated avalanche rated MOSFETs
    • Designed and qualified for reliability for dielectric withstand testing (Hi-Pot)
      • TPSI2240-Q1 IAVA = 1mA for 60s pulses
      • TPSI2240T-Q1 IAVA = 3mA for 60s pulses
    • 1200V standoff voltage
    • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
    • TON, TOFF < 700µs
    • IOFF = 1.22µA at 1000V (TJ = 105°C)
  • Low primary side supply current
    • 5mA ON state current
    • 3.5µA OFF state current (TJ = 25°C)
  • Functional Safety Capable
  • Robust isolation barrier:
    • > 30 year projected lifetime at 1000VRMS / 1500VDC working voltage
    • Reinforced Isolation rating, VISO, up to 3750VRMS
  • SOIC 11-pin (DWQ) package with wide pins for improved thermal performance
    • Creepage and clearance ≥ 8mm (primary-secondary)
    • Creepage and clearance ≥ 6mm (across switch terminals)
  • Safety-related certifications
    • (Planned) DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • (Planned) UL 1577 component recognition program
  • Qualified for automotive applications
    • AEC-Q100 grade 1: –40 to 125°C TA
  • Low EMI:
    • Meets CISPR25 class 5 performance with no additional components
  • Integrated avalanche rated MOSFETs
    • Designed and qualified for reliability for dielectric withstand testing (Hi-Pot)
      • TPSI2240-Q1 IAVA = 1mA for 60s pulses
      • TPSI2240T-Q1 IAVA = 3mA for 60s pulses
    • 1200V standoff voltage
    • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
    • TON, TOFF < 700µs
    • IOFF = 1.22µA at 1000V (TJ = 105°C)
  • Low primary side supply current
    • 5mA ON state current
    • 3.5µA OFF state current (TJ = 25°C)
  • Functional Safety Capable
  • Robust isolation barrier:
    • > 30 year projected lifetime at 1000VRMS / 1500VDC working voltage
    • Reinforced Isolation rating, VISO, up to 3750VRMS
  • SOIC 11-pin (DWQ) package with wide pins for improved thermal performance
    • Creepage and clearance ≥ 8mm (primary-secondary)
    • Creepage and clearance ≥ 6mm (across switch terminals)
  • Safety-related certifications
    • (Planned) DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • (Planned) UL 1577 component recognition program

The TPSI2240-Q1 is an isolated solid state relay designed for high voltage automotive and industrial applications. The TPSI2240-Q1 uses TI’s high reliability capacitive reinforced isolation technology in combination with internal back-to-back MOSFETs to form an integrated solution requiring no secondary side power supply.

The primary side of the device is powered by only 5mA of input current and incorporates a fail-safe EN pin preventing any possibility of back powering the VDD supply. In most applications, the VDD pin of the device should be connected to a system supply between 5V – 20V and the EN pin of the device should be driven by a GPIO output with logic HI between 2.1V – 20V. In other applications, The VDD and EN pins could be driven together directly from the system supply or from a GPIO output. All control configurations of the TPSI2240-Q1 do not require additional external components such as a resistor and/or low side switch that are typically required in photo relay solutions.

The secondary side consists of back-to-back MOSFETs with a standoff voltage of ±1.2kV from S1 to S2. The TPSI2240-Q1 MOSFET’s avalanche robustness and thermally conscious package design, allow it to robustly support system level dielectric withstand testing (HiPot) and DC fast charger surge currents of up to 1mA without requiring any external components.

The TPSI2240-Q1 is an isolated solid state relay designed for high voltage automotive and industrial applications. The TPSI2240-Q1 uses TI’s high reliability capacitive reinforced isolation technology in combination with internal back-to-back MOSFETs to form an integrated solution requiring no secondary side power supply.

The primary side of the device is powered by only 5mA of input current and incorporates a fail-safe EN pin preventing any possibility of back powering the VDD supply. In most applications, the VDD pin of the device should be connected to a system supply between 5V – 20V and the EN pin of the device should be driven by a GPIO output with logic HI between 2.1V – 20V. In other applications, The VDD and EN pins could be driven together directly from the system supply or from a GPIO output. All control configurations of the TPSI2240-Q1 do not require additional external components such as a resistor and/or low side switch that are typically required in photo relay solutions.

The secondary side consists of back-to-back MOSFETs with a standoff voltage of ±1.2kV from S1 to S2. The TPSI2240-Q1 MOSFET’s avalanche robustness and thermally conscious package design, allow it to robustly support system level dielectric withstand testing (HiPot) and DC fast charger surge currents of up to 1mA without requiring any external components.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPSI2240-Q1 1200V, 50mA, Automotive Reinforced Solid-State Relay With Avalanche Protection データシート PDF | HTML 2025年 9月 26日
EVM ユーザー ガイド (英語) TPSI2240-Q1 Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 2025年 9月 8日
証明書 TPSI2240Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 7月 1日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPSI2240Q1EVM — TPSI2240-Q1 評価基板

TPSI2240Q1EVM は、複数のテスト ポイントとジャンパを備え、TPSI2240-Q1 の性能および機能を完全に評価するためのハードウェア評価モジュール (EVM) です。評価基板には、TPSI2240-Q1 デバイスを試験・評価し、バッテリ マネジメント システムなどの大規模アプリケーションへ円滑に組み込むために必要な資材が含まれています。TPSI2240Q1EVM を単独で使用するか、外部マイクロコントローラと組み合わせて使用​​し、デバイスの有効信号を駆動します。外付けの保護部品を一切追加することなく、EVM を用いて、耐電圧試験 (高電位 [HiPot] 試験とも呼ばれる) (...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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