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LMG2656

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ドライバと保護機能と電流センス機能内蔵、650V、230mΩ、GaN ハーフブリッジ

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製品詳細

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 230 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 230 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RFB) 19 48 mm² 8 x 6
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 230mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with <100ns low propagation delays
  • Programmable turn-on slew rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
  • Low-side (INL) / high-side (INH) gate-drive interlock
  • High-side (INH) gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up: <8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 70µA
  • 8mm × 6mm QFN package with dual thermal pads
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 230mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with <100ns low propagation delays
  • Programmable turn-on slew rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
  • Low-side (INL) / high-side (INH) gate-drive interlock
  • High-side (INH) gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up: <8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 70µA
  • 8mm × 6mm QFN package with dual thermal pads

The LMG2656 is a 650V 230mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2656 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap FET, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm by 8mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to PCB power ground.

The high-side GaN power FET can be controlled with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2656 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down. Ultra low slew rate setting supports motor drive applications.

The LMG2656 is a 650V 230mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2656 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap FET, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm by 8mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to PCB power ground.

The high-side GaN power FET can be controlled with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2656 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down. Ultra low slew rate setting supports motor drive applications.
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技術資料

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* データシート LMG2656 650V 230 mΩ GaN Half Bridge With Integrated Driver and Current Sense Emulation データシート PDF | HTML 2025年 6月 27日
EVM ユーザー ガイド (英語) LMG2656 Half-Bridge Daughtercard Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 2024年 12月 12日

設計および開発

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ドーター・カード

LMG2656EVM-102 — LMG2656 ドーターカード

LMG2656EVM-102 は、各種ハーフブリッジ トポロジに搭載した TI の統合型 GaN デバイスを迅速かつ容易に評価するプラットフォームを実現できる設計を採用しています。この基板は、ボード底面のエッジにある 6 本の電源ピンと 12 本のデジタル ピンを使用して、ソケットを使用した外部接続でより大規模なシステムに接続できる設計を採用しています。電源ピンは、高電圧 DC バス、スイッチ ノード、電源グランドで構成されるメイン スイッチング ループを形成します。デジタル ピンは、PWM ゲート入力を使用して LMG2656 (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

LMG2656 SIMPLIS Model

SNOM812.ZIP (28 KB) - SIMPLIS Model
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計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG2100R026 — 100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段 LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ クランプ フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG2640 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、105mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2650 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2652 — ドライバと保護機能と電流センス機能内蔵、650V、140mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2656 — ドライバと保護機能と電流センス機能内蔵、650V、230mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3427R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3427R050 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3527R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (RFB) 19 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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