計算ツール
BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver
Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
DRV8353M
- 9～100V、トリプル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
-
拡張 TA 動作 (-55℃～125℃)
- (オプション) トリプル・ローサイド電流シャント・アンプ
-
- スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
- 調整可能なスルーレート制御による EMI 性能の向上
- VGS ハンドシェイクおよび最小限のデッド・タイム挿入により貫通電流を回避
- 50mA～1A のピーク・ソース電流
- 100mA～2A のピーク・シンク電流
- 強力なプルダウンにより dV/dt を低減
- ゲート・ドライバ電源を内蔵
- ハイサイド・ダブラー・チャージ・ポンプによる 100% PWM デューティ・サイクル制御
- ローサイドのリニア・レギュレータ
- トリプル電流シャント・アンプ内蔵
- 可変ゲイン (5、10、20、40V/V)
- 双方向または単方向のサポート
- 6x、3x、1x、および独立 PWM モード
- 120° センサ付き動作をサポート
- SPI またはハードウェア・インターフェイスを利用可能
- 低消費電力のスリープ・モード (VVM = 48V で 20µA)
- 保護機能内蔵
- VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
- ゲート駆動電源低電圧 (GDUV)
- MOSFET VDS 過電流保護 (OCP)
- MOSFET 貫通電流防止
- ゲート・ドライバのフォルト (GDF)
- 熱警告およびシャットダウン (OTW/OTSD)
- フォルト状態インジケータ (nFAULT)
DRV8353M ファミリのデバイスは、3 相ブラシレス DC (BLDC) モータ・アプリケーション向けの高度に統合されたゲート・ドライバです。BLDC モータの磁界方向制御 (FOC)、正弦波電流制御、および台形電流制御に適しています。このデバイス・バリエーションにはオプションとして、各種のモータ制御方式をサポートするための内蔵電流シャント・アンプと、ゲート・ドライバや外部コントローラに給電するための降圧レギュレータが用意されています。
DRV8353M はスマート・ゲート・ドライブ (SGD) アーキテクチャを使用して、通常は MOSFET スルーレート制御および保護回路に必要となる外付け部品の数を減らしています。また、SGD アーキテクチャによりデッド・タイムが最適化されて貫通電流状況が防止され、MOSFET のスルーレート制御により電磁気干渉 (EMI) を柔軟に低減でき、VGS 監視によってゲートの短絡状況に対する保護を行えます。ゲートの強力なプルダウン回路は、望ましくない dV/dt 寄生ゲート・ターンオンの防止に役立ちます。
各種の PWM 制御モード (6x、3x、1x、および独立) がサポートされており、外部コントローラと簡単に接続できます。これらのモードにより、モータ・ドライバ PWM 制御信号のために必要なコントローラ出力の数を減らすことができます。このファミリのデバイスには 1x PWM モードも含まれており、内部ブロックの通信テーブルを使用して、BLDC モータの単純なセンサ付き台形制御に使用できます。
設計および開発
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評価ボード
DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 3 相ブラシレス DC スマート ゲート ドライバの評価基板
DRV8353RH-EVM は、DRV8353RH ゲート ドライバと CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET ベース、15A、3 相ブラシレス DC ドライブ段です。
このモジュールには、個別の DC バス、位相電圧センス機能、さらに個別のローサイド電流シャント アンプが搭載されています。この評価基板はセンサレス BLDC アルゴリズムに最適な製品になっています。 この基板は、0.35A 降圧 (バック) レギュレータを内蔵しており、マイコンに 3.3V の電力を供給します。 このドライブ段には IDRIVE (...)
ユーザー ガイド: PDF
評価ボード
DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 3 相ブラシレス DC スマート ゲート ドライバの評価基板
DRV8353RS-EVM は、DRV8353RS ゲート ドライバと CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET ベース、15A、3 相ブラシレス DC ドライブ段です。
このモジュールには、個別の DC バス、位相電圧センス機能、さらに個別のローサイド電流シャント アンプが搭載されています。この評価基板はセンサレス BLDC アルゴリズムに最適な製品になっています。 この基板は、0.35A 降圧 (バック) レギュレータを内蔵しており、マイコンに 3.3V の電力を供給します。 このドライブ段には IDRIVE 構成機能、フォルト ピン、および構成可能な SPI (...)
ユーザー ガイド: PDF
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| WQFN (RTA) | 40 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点