Gallium nitride (GaN) motor drivers

窒化ガリウム (GaN) を用いたインテリジェントパワーモジュール (IPM) とハーフブリッジモータードライバを使用することで、電力効率を最大化し、ソリューションサイズを最小化できます

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TI の統合 GaN 技術は、99% を超えるインバータ効率を提供し、放熱特性を大幅に改善し、電力損失を最小限に抑えます。高度な集積化と電力密度の向上により、ソリューションの省サイズ化とシステムレベルのコスト削減を実現します。極めて低いデッドタイムと伝搬遅延により、音響性能を改善し、電流高調波を低減し、高精度の電流検出を実現します。最大電力効率、逆回復損失ゼロ、高精度スルーレート制御、短絡および過電流保護により、システムの信頼性を高め、モータードライブの寿命を延長します。

電圧別に目的に合った GaN モータードライバを見つけることができます。

650V の GaN IPM

高電圧 GaN IPM デバイスを使用することで、電力密度および電力効率を最大化

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200V 未満の GaN ハーフブリッジドライバ

TI の中電圧 GaN ハーフブリッジデバイスを使用することで、効率の向上とソリューションサイズの最小化を実現できます。

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電力段、AC/DC コンバータ、降圧コンバータと昇圧コンバータ、モータードライバなど、GaN (窒化ガリウム) テクノロジーで構成された TI の製品ラインアップをご確認ください。

詳細

TI の GaN モータードライバの利点

システム効率の向上

TI の GaN モータードライバは、オン抵抗の小さい GaN FET を内蔵しており、シリコンベースの技術に比べて最大 2% の電力効率を達成し、電力損失を 50% 以上低減できます。

モータードライブの長寿命化

内蔵スルーレート制御とマルチレベル保護機能により、モーターの発熱を低減し、電力効率を最大化し、モーター寿命全体にわたる絶縁性能を向上します。最高レベルの性能と耐久性を提供します。

静音でスムーズなモーター動作を実現

スイッチング周波数の引き上げ、低い伝搬遅延、短いデッドタイムを利用して電流高調波を低減することにより、TI の GaN は静音動作と滑らかなトルクを実現します。

ソリューションサイズを 50% 縮小します。

GaN により、超高電力密度を実現し、外部システム部品を削減することで、シリコン方式に比べてより小型で高効率な設計を実現し、システムのフットプリントを縮小します。

主なテクノロジー

GaN IPM の概要

ガリウムナイトライド (GaN) で構成されたインテリジェントパワーモジュール (IPM) は、従来のシリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) や絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) と比較して、より高い電力密度と効率を実現します。

利点：

電力段で 99% 超の効率を達成しているため、ヒートシンクなどの冷却部品が不要になるほか、全体の効率が向上し、モータードライバシステムのサイズを小型化できます。
150ns 未満のデッドタイムや伝搬遅延時間と、PWM (パルス幅変調) スイッチング周波数の引き上げを通じて、電流歪みを低減し、音響特性を改善することができます。

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