DRV7167

プレビュー

100V、70A、ハーフブリッジ GaN モータードライバの電力段

製品詳細

Rating Catalog Architecture Half-bridge, Integrated FET Peak output current (A) 100 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 4400 VDS (max) (V) 120 Features Integrated FET Operating temperature range (°C) -40 to 175
Rating Catalog Architecture Half-bridge, Integrated FET Peak output current (A) 100 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 4400 VDS (max) (V) 120 Features Integrated FET Operating temperature range (°C) -40 to 175
VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm² 7 x 4.5
  • 100V、48V システム対応のドライバを内蔵したハーフブリッジ GaN モータ ドライバ パワー ステージ
  • 低い GaN オンステート抵抗
    • TA = 25℃ で 2.2mΩ の RDS(ON) (FET に従う)
  • 効率的で高密度の電力変換を実現できます
    • 高い出力電流能力:70Arms、250A (パルス、300 µs)
    • 最大 500kHz PWM のスイッチング周波数をサポート
    • 非常に優れた伝搬遅延 (標準値 20ns) およびマッチング (標準値 2ns)
    • 両方の FET のターンオンとターンオフのスルーレート制御
    • ソフトスイッチング用途でのデッドタイム最適化のためのゼロ電圧検出 (ZVD) レポート機能
    • IO 制限付きコントローラ向けのシングル PWM 入力オプション
  • 5V の外部バイアス電源
    • 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
  • 保護機能内蔵
    • 独立入力モード (IIM) での短絡保護
    • 内部ブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
    • VDS 監視に基づくサイクルごとの短絡保護機能
    • 過熱、低電圧、短絡イベントの故障通知
    • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
    • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
    • 底面冷却用の大型 GND パッド
  • 100V、48V システム対応のドライバを内蔵したハーフブリッジ GaN モータ ドライバ パワー ステージ
  • 低い GaN オンステート抵抗
    • TA = 25℃ で 2.2mΩ の RDS(ON) (FET に従う)
  • 効率的で高密度の電力変換を実現できます
    • 高い出力電流能力:70Arms、250A (パルス、300 µs)
    • 最大 500kHz PWM のスイッチング周波数をサポート
    • 非常に優れた伝搬遅延 (標準値 20ns) およびマッチング (標準値 2ns)
    • 両方の FET のターンオンとターンオフのスルーレート制御
    • ソフトスイッチング用途でのデッドタイム最適化のためのゼロ電圧検出 (ZVD) レポート機能
    • IO 制限付きコントローラ向けのシングル PWM 入力オプション
  • 5V の外部バイアス電源
    • 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
  • 保護機能内蔵
    • 独立入力モード (IIM) での短絡保護
    • 内部ブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
    • VDS 監視に基づくサイクルごとの短絡保護機能
    • 過熱、低電圧、短絡イベントの故障通知
    • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
    • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
    • 底面冷却用の大型 GND パッド

DRV7167A は、ゲート ドライバと拡張モード ガリウム ナイトライド (GaN) FET を内蔵した 100V ハーフブリッジ電力段です。このデバイスは、ハーフブリッジ構成で 1 つの高周波 GaN FET ドライバによって駆動される、2 つの 100V GaN FET で構成されています。

GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。DRV7167A は、7.0mm × 4.5mm × 0.89mm および m の鉛フリー パッケージで提供されており、PCB への実装が容易です。

TTL ロジック互換の入力は、GVDD 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧制御技術により、拡張モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内に保たれます。このデバイスは、両方の FET のターンオンおよびターンオフ スルーレート制御、IO 制限コントローラで使用する単一 PWM モード、短絡保護 (SCP) 、過熱検出 (OTD) およびゼロ電圧検出 (ZVD) レポート、をサポートしており、第 3 クアドラント導通時間を最小化できます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。

DRV7167A は、ゲート ドライバと拡張モード ガリウム ナイトライド (GaN) FET を内蔵した 100V ハーフブリッジ電力段です。このデバイスは、ハーフブリッジ構成で 1 つの高周波 GaN FET ドライバによって駆動される、2 つの 100V GaN FET で構成されています。

GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。DRV7167A は、7.0mm × 4.5mm × 0.89mm および m の鉛フリー パッケージで提供されており、PCB への実装が容易です。

TTL ロジック互換の入力は、GVDD 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧制御技術により、拡張モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内に保たれます。このデバイスは、両方の FET のターンオンおよびターンオフ スルーレート制御、IO 制限コントローラで使用する単一 PWM モード、短絡保護 (SCP) 、過熱検出 (OTD) およびゼロ電圧検出 (ZVD) レポート、をサポートしており、第 3 クアドラント導通時間を最小化できます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。

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技術資料

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* データシート DRV7167A 100V 、 70A ハーフブリッジ GaN モーター ドライバ電力段 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 10月 2日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

リファレンス・デザイン

TIDA-010979 — 産業用通信機能搭載、48V、1kW ロボットのジョイントモーター制御のリファレンスデザイン

このリファレンスデザインは、産業用イーサネット接続モータードライブを処理する TI の Sitara™ マイコン AM261x デバイスを搭載しています。このデザインは、直径 70mm のプリント基板 (PCB) を使用して、ヒューマノイドロボットのジョイント (48V、1kW の Eyoubot モーター) を駆動します。このデザインは、小型フォームファクタと簡素化された統合プラットフォームを示します。このプラットフォームは、3 つの DRV7167 ハーフブリッジ GaN-FET を使用した高電力密度の電力段、AM2612 500MHz R5F コア (...)
設計ガイド: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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