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TPS7H6015-SP

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耐辐射、QMLP 60V 半桥 GaN 栅极驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 60 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 60 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
HTSSOP (DCA) 56 113.4 mm² 14 x 8.1
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试
  • 可用于军用温度范围，即 -55°C 至 125°C
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试
  • 可用于军用温度范围，即 -55°C 至 125°C

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和高电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005（200V 等级）、TPS7H6015（60V 等级）和 TPS7H6025（22V 等级）。这些器件全都采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装，并提供 QMLP 和增强型航天塑料 (SEP) 等级。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和高电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005（200V 等级）、TPS7H6015（60V 等级）和 TPS7H6025（22V 等级）。这些器件全都采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装，并提供 QMLP 和增强型航天塑料 (SEP) 等级。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。
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* 数据表 TPS7H60x5-SP 和 TPS7H60x5-SEP 耐辐射保障半桥 GaN FET 栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 5月 5日
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6015-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report 2025年 4月 12日
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6005-SP, TPS7H6015-SP, TPS7H6025-SP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2025年 2月 27日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS7H6015EVM — TPS7H6015 评估模块

TPS7H6015EVM 用户指南提供了操作 TPS7H6015 评估模块的全面说明。默认情况下，该评估模块设置为在脉宽调制模式下与 TPS7H6015-SEP 一起运行。该模式接受一个开关信号作为输入，并在内部生成互补信号。这可以更改为器件的独立输入模式，在该模式下，两个输出彼此独立工作。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
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仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

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PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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