TPS7H5020-SEP

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耐辐射 1MHz PWM 控制器,能够驱动 MOSFET 或 GaN FET

产品详情

Rating Space Topology Boost, Flyback, Forward Vin (max) (V) 14 Vin (min) (V) 4.5 Control mode Peak current mode Features External Sync, GaN support, MOSFET Gate Driver, Programmable Soft-start, Programmable slope compensation Operating temperature range (°C) -55 to 125 Duty cycle (max) (%) 100
Rating Space Topology Boost, Flyback, Forward Vin (max) (V) 14 Vin (min) (V) 4.5 Control mode Peak current mode Features External Sync, GaN support, MOSFET Gate Driver, Programmable Soft-start, Programmable slope compensation Operating temperature range (°C) -55 to 125 Duty cycle (max) (%) 100
HTSSOP (PWP) 24 49.92 mm² 7.8 x 6.4
  • 辐射性能:
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于 LET 的抗扰度 = 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬态 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 控制器级和驱动器级的输入电压范围均为 4.5V 至 14V
  • 专用栅极驱动器电压输入引脚 (PVIN) 可驱动硅器件和 GaN 器件
    • 1.2A 峰值拉电流和灌电流(12V 时)
    • 为了驱动 GaN,可选择将 VLDO 线性稳压器输出连接到 PVIN
    • 4.5V 至 5.5V 的可编程线性稳压器 (VLDO)
  • 在温度、辐射以及线路和负载调节范围内提供 0.6V ±1% 的基准电压
  • 开关频率范围为 100kHz 至 1MHz
  • 外部时钟同步功能
  • 可调斜率补偿和软启动
  • 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试
  • 辐射性能:
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于 LET 的抗扰度 = 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬态 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 控制器级和驱动器级的输入电压范围均为 4.5V 至 14V
  • 专用栅极驱动器电压输入引脚 (PVIN) 可驱动硅器件和 GaN 器件
    • 1.2A 峰值拉电流和灌电流(12V 时)
    • 为了驱动 GaN,可选择将 VLDO 线性稳压器输出连接到 PVIN
    • 4.5V 至 5.5V 的可编程线性稳压器 (VLDO)
  • 在温度、辐射以及线路和负载调节范围内提供 0.6V ±1% 的基准电压
  • 开关频率范围为 100kHz 至 1MHz
  • 外部时钟同步功能
  • 可调斜率补偿和软启动
  • 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试

TPS7H502x 是一款具有耐辐射加固保障的电流模式单端 PWM 控制器,配备集成的栅极驱动器,可用于基于硅和氮化镓 (GaN) 功率半导体的转换器设计。TPS7H502x 集成了多个关键功能,例如软启动、使能和可调斜率补偿,同时保持较小的封装尺寸。该控制器还具有 0.6V ± 1% 的电压基准容差,可支持高精度电源转换器设计。

TPS7H502x 可通过 SYNC 引脚使用外部时钟来运行,也可使用 RT 引脚以用户决定的频率对内部振荡器进行编程来运行。该器件的开关频率能够高达 1MHz。控制器的驱动器级具有 4.5V 至 14V 的宽输入电压范围,并支持高达 1.2A 的峰值拉电流和灌电流。可编程稳压器 VLDO 也可以直接连接到驱动器级的输入端 (PVIN),以便为 GaN FET 的运行提供受控良好的栅极电压。可编程稳压器可接受 4.5V 至 5.5V 范围的电压。TPS7H5020 器件具有 100% 的最大占空比,而 TPS7H5021 具有 50% 的最大占空比。该控制器支持多种电源转换器拓扑,包括反激式、正激式和升压。

TPS7H502x 是一款具有耐辐射加固保障的电流模式单端 PWM 控制器,配备集成的栅极驱动器,可用于基于硅和氮化镓 (GaN) 功率半导体的转换器设计。TPS7H502x 集成了多个关键功能,例如软启动、使能和可调斜率补偿,同时保持较小的封装尺寸。该控制器还具有 0.6V ± 1% 的电压基准容差,可支持高精度电源转换器设计。

TPS7H502x 可通过 SYNC 引脚使用外部时钟来运行,也可使用 RT 引脚以用户决定的频率对内部振荡器进行编程来运行。该器件的开关频率能够高达 1MHz。控制器的驱动器级具有 4.5V 至 14V 的宽输入电压范围,并支持高达 1.2A 的峰值拉电流和灌电流。可编程稳压器 VLDO 也可以直接连接到驱动器级的输入端 (PVIN),以便为 GaN FET 的运行提供受控良好的栅极电压。可编程稳压器可接受 4.5V 至 5.5V 范围的电压。TPS7H5020 器件具有 100% 的最大占空比,而 TPS7H5021 具有 50% 的最大占空比。该控制器支持多种电源转换器拓扑,包括反激式、正激式和升压。

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技术文档

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* 数据表 TPS7H502x-SP 和 TPS7H502x-SEP 耐辐射 1MHz 电流模式 PWM 控制器(带有集成的栅极驱动器) 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 8月 10日
* 辐射与可靠性报告 TPS7H5020-SEP Total Ionizing Dose (TID) Preliminary Report 2025年 3月 4日
证书 TPS7H5020FLYEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 6月 5日
选择指南 TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
EVM 用户指南 TPS7H5020-SP 评估模块 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 3月 26日
应用手册 借助增强型航天塑料产品降低近地轨道任务的风险 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 10月 14日
电子书 电子产品辐射手册 (Rev. A) 2019年 5月 21日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TPS7H5020EVM — TPS7H5020-SP 评估模块

TPS7H5020EVM 演示了带有集成栅极驱动器和 GaN FET 的单个 TPS7H5020-SP 电流模式 PWM 控制器在升压配置中的工作情况。该电路板提供可用于组装额外元件和测试点的空间,可实现对定制配置和性能有效性的测试。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

TPS7H502X SIMPLIS Model

SLVMEC6.ZIP (25 KB) - SIMPLIS Model
参考设计

PMP23546 — 2.4W multi-output PSR flyback reference design for bias supplies

This reference design uses TPS7H5020-SEP as a primary-side regulated (PSR) flyback converter. The input accepts a 22V to 36V range to generate a 12V bias referenced to primary ground and another 12V output that can be referenced to another return. This reference design can be used to provide bias (...)
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HTSSOP (PWP) 24 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
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  • REACH
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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
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