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LMG3650R035

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具有集成驱动器和保护功能的 650V 35mΩ TOLL 封装 GaN FET

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产品详情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 35 ID (max) (A) 20 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 175
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 35 ID (max) (A) 20 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 175
TO-OTHER (KLA) 9 115.632 mm² 9.9 x 11.68
  • 具有集成式栅极驱动器的 650V 35mΩ GaN 功率 FET
    • >200V/ns FET 释抑
    • 可调压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
      • 10V/ns 至 100V/ns 导通压摆率
      • 10V/ns 至全速关断压摆率
    • 可在电源引脚和输入逻辑引脚电压范围为 9V 至 26V 的情况下运行
  • 强大的保护
    • 响应时间 <300ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 带有散热焊盘的 9.8mm × 11.6mm TOLL 封装
  • 具有集成式栅极驱动器的 650V 35mΩ GaN 功率 FET
    • >200V/ns FET 释抑
    • 可调压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
      • 10V/ns 至 100V/ns 导通压摆率
      • 10V/ns 至全速关断压摆率
    • 可在电源引脚和输入逻辑引脚电压范围为 9V 至 26V 的情况下运行
  • 强大的保护
    • 响应时间 <300ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 带有散热焊盘的 9.8mm × 11.6mm TOLL 封装

LMG365xR035 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

可调栅极驱动器强度允许独立地控制导通和最大关断压摆率，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。导通压摆率可以在 10V/ns 至 100V/ns 内变化，而关断压摆率可以根据负载电流的大小限制为 10V/ns 至最大值。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期过流限制、短路和过热保护。LMG3651R035 在 LDO5V 引脚上提供 5V LDO 输出，可用于为外部数字隔离器供电。LMG3656R035 包含零电压检测 (ZVD) 功能，可在实现零电压开关时提供来自 ZVD 引脚的脉冲输出。LMG3657R035 包含零电流检测 (ZCD) 功能，可在漏源电流为负时将 ZCD 引脚设置为高电平，并在检测到过零点时转换为低电平。

LMG365xR035 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

可调栅极驱动器强度允许独立地控制导通和最大关断压摆率，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。导通压摆率可以在 10V/ns 至 100V/ns 内变化，而关断压摆率可以根据负载电流的大小限制为 10V/ns 至最大值。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期过流限制、短路和过热保护。LMG3651R035 在 LDO5V 引脚上提供 5V LDO 输出，可用于为外部数字隔离器供电。LMG3656R035 包含零电压检测 (ZVD) 功能，可在实现零电压开关时提供来自 ZVD 引脚的脉冲输出。LMG3657R035 包含零电流检测 (ZCD) 功能，可在漏源电流为负时将 ZCD 引脚设置为高电平，并在检测到过零点时转换为低电平。
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EVM 用户指南 LMG3650R035 评估模块 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 1月 13日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

子卡

LMG3650EVM-114 — LMG3650R035 子卡

LMG3650R035 评估模块 (EVM) 将两个 LMG3650R035 GaN FET 为半桥拓扑，具有过热保护、逐周期过流保护、锁存短路去饱和保护功能以及用于测试隔离式辅助电源或自举电源所需的所有辅助外设电路。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
参考设计

TIDA-010954 — 基于 GaN 的 600W 单相周波转换器参考设计

该参考设计基于周波转换器 (AC-DAB) 拓扑和 TI GaN 功率级，实现了 600W 双向单级直流-交流逆变器。该设计在直流侧支持最高 60V 和 ±16A，在单相侧支持 230VAC 和 2.6A。该逆变器支持双向功率流，可用于各种应用，例如光伏微型逆变器或电池储能系统 (BESS)。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
TO-OTHER (KLA) 9 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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