LMG3650EVM-114 配有两个 LMG3650R035 650V GaN FET，在半桥配置中集成了驱动器和保护，具有所有必要的偏置电路和逻辑/电源电平转换。基本功率级和栅极驱动、高频电流环路在板上是全封闭的，以最大程度地减少电源环路的寄生电感，从而减少电压过冲，提升性能。LMG3650EVM-114配置为插槽式外部连接，可方便地与外部功率级连接，以在各种应用中运行 LMG3650R035。在使用此 EVM 之前，请参阅 LMG3650R035 数据表。

• 两个采用 TOLL 封装并以半桥配置排列的 TI 650V GaN
• 用于高侧故障信号的数字隔离器
• 隔离式辅助电源和自举电源选项
• 隔离式栅极驱动器和开放元件位置，具有布局兼容性，用于评估集成式 GaN TOLL 和分立式 GaN TOLL
• 连接了风扇的散热器，用于在测试期间进行散热
• 针对过热、过流和短路事件提供的故障保护和报告功能
• 可与 TI GaN 主板兼容的标准子卡引脚排列
• 绝对最大额定电压为 650V