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LM5050-1-Q1

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汽车级 5V 至 75V 400uA IQ ORing FET 控制器

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产品详情

Vin (min) (V) 5 Vin (max) (V) 75 FET External single FET Device type ORing controller Number of channels 1 Rating Automotive Features AUX input, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.79 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 31 IGate source (max) (µA) 41 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 150 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 14 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Product type ORing controller
Vin (min) (V) 5 Vin (max) (V) 75 FET External single FET Device type ORing controller Number of channels 1 Rating Automotive Features AUX input, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.79 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 31 IGate source (max) (µA) 41 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 150 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 14 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Product type ORing controller
SOT-23-THN (DDC) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）
  • 提供功能安全
    • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN < 5V 时需要 VBIAS）
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间
  • 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）
  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）
  • 提供功能安全
    • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN < 5V 时需要 VBIAS）
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间
  • 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。
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LM5050MK-1EVAL — 用于 LM5050-1 的评估板

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用户指南: PDF
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LM5050 Unencrypted PSPICE Transient Model

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PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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参考设计

TIDA-00992 — 汽车反极性保护参考设计

反极性是汽车环境中所需的标准保护。当电池电缆断开并重新连接时，存在将电线连接到错误的电池端子的可能性。此错误可能会损坏电子控制单元 (ECU) 中的元件。为避免对 ECU 造成损坏，需要进行反极性保护。可以使用肖特基二极管，但将会产生持续高功率损耗。  该参考设计使用 LM5050-Q1，同时搭配 n 沟道 MOSFET，可提供反极性保护并降低功率耗散。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
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