产品详情

Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 67 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.77 IEC 61000-4-2 contact (±V) 24000 IEC 61000-4-5 (A) 4.5 Features ESD Protection, High speed Clamping voltage (V) 15 Dynamic resistance (typ) 0.7 Interface type Ethernet, FPD-Link / SerDes, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7.5 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 67 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.77 IEC 61000-4-2 contact (±V) 24000 IEC 61000-4-5 (A) 4.5 Features ESD Protection, High speed Clamping voltage (V) 15 Dynamic resistance (typ) 0.7 Interface type Ethernet, FPD-Link / SerDes, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7.5 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • 稳健的 IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
    • ±24kV 接触放电
    • ±30kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护:
    • 4.5A (8/20µs)
    • 1.8A IPP (8/20µs) 时,具有 12V 的低 Vclamp
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护:
    • 80A (5/50ns)
  • 具有双向 ESD 二极管,可在高达 ± 5.5V 的电压下保护接口
  • IO 电容:0.77pF(典型值)
  • 直流击穿电压高:8.3V(典型值)
  • 超低漏电流:30pA(典型值)
  • 低动态电阻:0.7Ω(典型值)
  • 工业级温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 业界通用 0402 封装
  • 稳健的 IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
    • ±24kV 接触放电
    • ±30kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护:
    • 4.5A (8/20µs)
    • 1.8A IPP (8/20µs) 时,具有 12V 的低 Vclamp
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护:
    • 80A (5/50ns)
  • 具有双向 ESD 二极管,可在高达 ± 5.5V 的电压下保护接口
  • IO 电容:0.77pF(典型值)
  • 直流击穿电压高:8.3V(典型值)
  • 超低漏电流:30pA(典型值)
  • 低动态电阻:0.7Ω(典型值)
  • 工业级温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 业界通用 0402 封装

ESD401 是一款双向 TVS ESD 保护二极管,具有低 RDYN 和低钳位电压。ESD401 的额定 ESD 冲击消散值超出了 IEC 61000-4-2 国际标准(4 级)规定的最高水平。低动态电阻 (0.7Ω) 可确保系统级抗瞬变事件保护。该器件具有一个 0.77pF IO 电容,非常适合用于保护 USB 2.0 等接口。该器件可在高达 ±5.5V 的电压运行,具有超低漏电流,并能承受高达 8.3V 的直流故障。

ESD401 采用业界通用的 0402 (DPY) 封装。

ESD401 是一款双向 TVS ESD 保护二极管,具有低 RDYN 和低钳位电压。ESD401 的额定 ESD 冲击消散值超出了 IEC 61000-4-2 国际标准(4 级)规定的最高水平。低动态电阻 (0.7Ω) 可确保系统级抗瞬变事件保护。该器件具有一个 0.77pF IO 电容,非常适合用于保护 USB 2.0 等接口。该器件可在高达 ±5.5V 的电压运行,具有超低漏电流,并能承受高达 8.3V 的直流故障。

ESD401 采用业界通用的 0402 (DPY) 封装。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
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应用手册 用于 USB 接口的 ESD 和浪涌保护 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 1月 23日
应用手册 ESD 包装和布局指南 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 9月 14日
选择指南 System-Level ESD Protection Guide (Rev. D) 2022年 9月 7日
应用手册 ESD 保护布局指南 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 7月 25日
用户指南 Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021年 9月 27日
应用手册 Does BAV99 Really Protect My System from ESD? 2017年 5月 24日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

ESDEVM — ESD 评估模块

静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

ESD401 IBIS Model

SLVMC63.ZIP (2 KB) - IBIS Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

视频