AFE10004-EP
- 专用于国防和航空航天应用场景
- 受控基线
- 一个封装测试厂
- 一个制造基地
- 产品可追溯性
- 延长了产品生命周期
- 本地和远程二极管温度传感器
- ±2.5°C 误差,最大值
- 0.0625°C 分辨率
- 实现自主操作的内部 EEPROM
- 用于四个独立传递函数的存储
- 设备配置存储
- 供用户存储的开放空间
- 通过 15 年数据保持认证
- 四路模拟输出
- 四个单调 DAC:1.22mV 分辨率
- 自动配置的输出范围:
- 正输出电压:5.5V,最大值
- 负输出电压:–10V,最小值
- 高电流驱动能力:
- 拉电流(高达 100mA)
- 灌电流(高达 20mA)
- 高容性负载耐受:高达 15µF
- 栅极偏置开/关控制开关
- 两个可编程关断电压
- 两个辅助 DAC:1.22mV 分辨率
- 快速开关时间:50ns,典型值
- 低电阻:3Ω,最大值
- 两个可编程关断电压
- 内置时序控制
- 内部 2.5V 基准
- SPI 和 I2C 接口:工作电压为 1.7V 至 3.6V
- SPI:4 线接口
- I2C:八个可选的外设地址
- 额定温度范围:-55°C 至 +125°C
AFE10004-EP 是一款高度集成的自主功率放大器 (PA) 精密模拟前端 (AFE),包含四个温度补偿数模转换器 (DAC),并集成了 EEPROM 和栅极偏置开关。这四个 DAC 通过内部 EEPROM 中存储的四个独立、用户自定义的温度电压传递函数进行编程。本设计可在不增加外部电路的情况下校正任何温度影响。启动后,本器件无需系统控制器干预即可运行,可提供完整的系统,进而用于在控制应用中设置和补偿偏置电压。
AFE10004-EP 具有四个栅极偏置输出,可通过专用控制引脚来开启和关闭。栅极偏置开关专为快速响应而设计。结合器件的 PA_ON 引脚,该快速响应可实现正确的电源时序控制,并保护 GaAs 和 GaN 等耗尽型晶体管。
AFE10004-EP 具有高功能集成度和宽工作温度范围特性,因此非常适合用作射频系统中功率放大器的一体化自动偏置控制电路。凭借灵活的 DAC 输出范围和内置时序控制特性,该器件可用作适用于多种晶体管技术(例如 LDMOS、GaAs 和 GaN)的偏置控制器。
设计和开发
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模拟工具
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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VQFN (RGE) | 24 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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