LMG3650EVM-115
LMG3650R070 子卡
LMG3650EVM-115
概述
LMG3650 子卡配有两个 LMG3650R070 650V GaN FET，在半桥配置中集成了驱动器和保护，具有所有必要的偏置电路和逻辑/电源电平转换。基本功率级和栅极驱动、高频电流环路在板上是全封闭的，以最大程度地减少电源环路的寄生电感，从而减少电压过冲，提升性能。插槽式外部连接配置了此子卡，可方便地与外部功率级连接，在各种应用中运行 LMG3650R070。在使用此子卡之前，请参阅 LMG3650R070 数据表。
特性
- 两个采用 TOLL 封装并以半桥配置排列的 TI 650V GaN
- 用于高侧故障信号的数字隔离器
- 隔离式辅助电源和自举电源选项
- 隔离式栅极驱动器和开放元件位置，具有布局兼容性，用于评估集成式 GaN TOLL 和分立式 GaN TOLL
- 连接了风扇的散热器，用于在测试期间进行散热
- 针对过热、过流和短路事件提供的故障保护和报告功能
- 可与 TI GaN 主板兼容的标准子卡引脚排列
- 绝对最大额定电压为 650V
氮化镓 (GaN) 功率级
设计文件
技术文档
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| EVM 用户指南 | LMG3650R070 评估模块 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025年 4月 11日 | |
| 证书 | LMG3650EVM-115 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2024年 12月 16日 |