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设计与开发

LMG3425EVM-041

具有理想二极管模式的 LMG3425R050 600V 50mΩ 半桥子卡

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LMG3425EVM-041

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概述

LMG3425EVM-041 将两个 LMG3425R050 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG342XR0XX 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单路/双路板载 PWM 输入（具有可变死区时间）
  • 逐周期过流保护功能
  • 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET
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Evaluating LMG3425R050 GaN FET power stage

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LMG3425EVM-041 — 具有理想二极管模式的 LMG3425R050 600V 50mΩ 半桥子卡

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为什么必需？ This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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为什么必需？ This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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证书 LMG3425EVM-041 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020-10-26

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