データシート
TPS7H6101-SEP
- 耐放射線性能：
- 総電離線量 (TID) 50krad(Si) に対して、放射線ロット受入試験 (RLAT) を実施済み
- シングルイベント過渡 (SET)、シングルイベントバーンアウト (SEB)、シングルイベント ゲートラプチャー (SEGR) に対し、線形エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで耐性あり
- シングルイベント過渡 (SET) およびシングルイベント故障割込み (SEFI) は、線エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで特性評価済み
- 200V e-モード GaN FET ハーフブリッジ
- 15mΩRDS(ON) (代表値)
- 100kHz～2MHz 動作
- LGA パッケージ：
- サーマルパッド付きの熱最適化 12mm × 9mm LGA パッケージ
- 内蔵ゲートドライブ抵抗
- 低共通ソースインダクタンスのパッケージ
- 電気的に絶縁されたハイサイドとローサイド
- ハーフブリッジと 2 個のスイッチの各種電源トポロジに対応するフレキシブルな制御
- 低伝搬遅延
- 2 つの動作モード
- デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
- 2 つの独立した入力
- プログラム可能なデッドタイム制御
- 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
- 堅牢な FET 動作を実現する 5V ゲートドライブ電源
TPS7H6101 は、ゲートドライバ内蔵の耐放射線性 200V Eモード GaN パワー FET ハーフブリッジです。Eモード GaN FET とゲートドライバを内蔵しているため、設計の簡素化、部品点数の削減、基板面積の節減を実現できます。ハーフブリッジと 2 つの独立スイッチトポロジ、構成可能なデッドタイム、構成可能なシュートスルーインターロック保護のサポートにより、幅広いアプリケーションと実装をサポートできます。
技術資料
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3 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPS7H6101-SEP 200V、10A GaNハーフブリッジ電力ステージ データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 5月 19日 |
| * | 放射線と信頼性レポート | TPS7H6101-SEP Preliminary Total Ionizing Dose (TID) Report | 2025年 5月 9日 | |||
| 証明書 | TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025年 4月 16日 |
設計および開発
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評価ボード
TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 評価基板
TPS7H6101EVM は J13 の入力電圧レールを使用して、PVIN 100V に電力を供給します。デフォルトでは、本デバイスは PWM モードで動作し、最小限の変更で IIM モードを使用できます。J8 に 0V~5V の波形を入力する TPS7H6101-SP は、選択したデューティ サイクルと周波数の降圧コンバータとして動作します。TPS7H6101EVM は、クイック スタート ガイドの記載のパラメータに従って設定とテストを実施済みです。クイック スタート ガイド以外に記載されている入力を使用する場合は、基板の熱管理と、インダクタの 18A 飽和電流を考慮に入れてください。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| UNKNOWN (NPR) | 64 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点