TPS7H5021-SEP
Radiation-tolerant 50% duty cycle PWM controller for driving MOSFET or GaN FETs
TPS7H5021-SEP
- 耐放射線性能:
- 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
- シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) 耐性:LET = 75MeV-cm2/mg
- LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
- コントローラ段とドライバ段の両方で最大入力電圧 14V
- 専用ゲート ドライバ電圧入力ピン(PVIN)により、シリコンと GaN 両方のデバイスを駆動
- 12V における 1.2A のピークソースおよびシンク能力
- GaN 駆動用の VLDO リニア レギュレータ出力から PVIN へのオプション接続 (TPS7H502x)
- 4.5V ~ 5.5V のプログラム可能なリニア レギュレータ (VLDO) (TPS7H502x)
- 温度、放射線、ラインおよび負荷レギュレーションの全範囲で 0.6V ±1% の電圧リファレンス
- スイッチング周波数:100kHz ~ 1MHz (TPS7H502x)、または 100kHz ~ 500kHz (TPS7H503x)
- 外部クロック同期機能
- 調整可能なスロープ補償とソフト スタート機能
- ASTM E595 に準拠したガス排出試験済みのプラスチック パッケージ
- 軍事用温度範囲 (-55°C~125°C) で利用可能
TPS7H502x と TPS7H503x は、放射線耐性が強化された電流モードのシングルエンド PWM コントローラで、統合されたゲート ドライバを内蔵しています。TPS7H502x は、シリコンベースおよび窒化ガリウム (GaN) パワー半導体ベースのコンバータ設計で利用でき、TPS7H503x はシリコンベースのコンバータを対象としています。これらのコントローラは、ソフトスタート、イネーブル、調整可能なスロープ補償などのいくつかの主要な機能を統合しながら、コンパクトなパッケージ サイズを維持しています。これらのコントローラは、0.6V ±1% の電圧リファレンス公差を備えており、高精度なパワー コンバータ設計をサポートします。
TPS7H502x と TPS7H503x は、SYNC ピンを通じて外部クロックを使用して動作させることも、RT ピンを使用して内部オシレータをユーザーが決定した周波数で設定して動作させることもできます。TPS7H502x デバイスは最大 1MHz の周波数でスイッチングでき、TPS7H503x は最大 500kHz の動作をサポートします。これらのコントローラのドライバ段は、広い入力電圧範囲を持ち、ピーク ソースおよびシンク電流は最大 1.2A をサポートします。TPS7H502x のプログラム可能なレギュレータ VLDO は、GaN FET と連携して動作するために、ドライバ段 (PVIN) の入力に直接接続して、適切に制御されたゲート電圧を供給することもできます。プログラム可能なレギュレータは、4.5V から 5.5V の電圧範囲を持っています。TPS7H5020 と TPS7H5030 デバイスの最大デューティ サイクルは 100% で、TPS7H5021 と TPS7H5031 の最大デューティ サイクルは 50% です。これらのコントローラは、フライバック、フォワード、昇圧など、多くの電力コンバータ トポロジをサポートしています。
技術資料
設計と開発
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TPS7H5020EVM — TPS7H5020-SP 評価基板
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| HTSSOP (PWP) | 24 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブ拠点
- アセンブリ拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。