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TXS4558

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双 SIM 卡电源，配备电平转换器和专用双通道 LDO

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产品详情

Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 50 Technology family TXS Vout (min) (V) 1.7 Vout (max) (V) 3.3 Supply current (max) (mA) 0.005 Features Dual LDO Applications SIM Card Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 50 Technology family TXS Vout (min) (V) 1.7 Vout (max) (V) 3.3 Supply current (max) (mA) 0.005 Features Dual LDO Applications SIM Card Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
WQFN (RUK) 20 9 mm² 3 x 3
  • 电平转换器
    • VCC的电压范围 1.65 V 至 3.3 V
    • VBATT的电压范围 2.3 V 至 5.5 V
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 50-mA LDO 调节器具有可用的
    • 1.8-V 或者 2.95-V 可选输出电压
    • 超低压降: 在100 mV (最大值) 电压下 50 mA
  • 通过GPIO 接口与基带处理器实现控制和通信
  • 用于 SIM1 和 SIM2 卡的分离时钟停止模式
  • ESD 保护等级超过 JESD 22 标准的要求
    • 2000-V 人体模式 (A114-B)
    • 500-V 充电设备模式（C101）
    • 8kV HBM 用于 SIM 引脚
  • 封装
    • 20-引脚 QFN (3 mm x 3 mm)
  • 电平转换器
    • VCC的电压范围 1.65 V 至 3.3 V
    • VBATT的电压范围 2.3 V 至 5.5 V
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 50-mA LDO 调节器具有可用的
    • 1.8-V 或者 2.95-V 可选输出电压
    • 超低压降: 在100 mV (最大值) 电压下 50 mA
  • 通过GPIO 接口与基带处理器实现控制和通信
  • 用于 SIM1 和 SIM2 卡的分离时钟停止模式
  • ESD 保护等级超过 JESD 22 标准的要求
    • 2000-V 人体模式 (A114-B)
    • 500-V 充电设备模式（C101）
    • 8kV HBM 用于 SIM 引脚
  • 封装
    • 20-引脚 QFN (3 mm x 3 mm)

TXS4558 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连，以存储移动手机应用程序的数据。 这是一款定制器件，用于把单个 SIM/UICC 接口扩展至能够支持两个 SIM/UICC （通用集成芯片卡）。

该器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 Class B (2.95 V) 与 Class C (1.8 V) 接口的高速电平转换器、低压降 (LDO) 稳压器，可在 2.95 V Class B 与 1.8 V Class C 接口之间选择输出电压。 简单GPIO输入用于在两个SIM卡之间进行交换并使其进入不同模式。 电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VCC 负责设定用于基带接口的基准，并可采用 1.65V 至 3.3V 的工作电压。 VSIM1 和 VSIM2 被设置为
1.8V 或 2.95V，各由一个独立的内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压，并向B侧电路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡输出高达 50mA 的电流。

此外，TXS4558 还根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8 kV HBM 保护，而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。

TXS4558 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连，以存储移动手机应用程序的数据。 这是一款定制器件，用于把单个 SIM/UICC 接口扩展至能够支持两个 SIM/UICC （通用集成芯片卡）。

该器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 Class B (2.95 V) 与 Class C (1.8 V) 接口的高速电平转换器、低压降 (LDO) 稳压器，可在 2.95 V Class B 与 1.8 V Class C 接口之间选择输出电压。 简单GPIO输入用于在两个SIM卡之间进行交换并使其进入不同模式。 电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VCC 负责设定用于基带接口的基准，并可采用 1.65V 至 3.3V 的工作电压。 VSIM1 和 VSIM2 被设置为
1.8V 或 2.95V，各由一个独立的内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压，并向B侧电路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡输出高达 50mA 的电流。

此外，TXS4558 还根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8 kV HBM 保护，而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。
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用户指南 TXS4558EVM 2011年 9月 22日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TXS4558EVM — TXS4558 评估模块

德州仪器 (TI) TXS4558 评估模块 (EVM) 旨在展示 TXS4558。TXS4558 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连，以存储移动手机应用的数据。此器件面向 GPIO 控制和通信，其中 GPIO 信号用于在 SIM 和 SIM 模式之间进行切换，从而允许单个接口支持两个 SIM。

此 EVM 包括两个用于 SIM 卡的插座以及连接所有器件信号的测试点。跳线、连接器和测试点均标有器件信号名称。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

TXS4558 IBIS Model

SLLM155.ZIP (48 KB) - IBIS Model
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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