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TPSI2140-Q1

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具有 2mA 雪崩额定值的汽车级 1200V、50mA 隔离开关

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TPSI2140-Q1

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产品详情

FET Internal Number of channels 1 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 2-mA avalanche current Switching voltage (max) (V) 1200 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 130 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 1 Isolation rating Basic Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
FET Internal Number of channels 1 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 2-mA avalanche current Switching voltage (max) (V) 1200 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 130 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 1 Isolation rating Basic Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，T A
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对过压条件下的可靠性认证进行设计和认证，包括系统级电介质耐压测试 (Hi-Pot)
      • I AVA = 2mA（5s 脉冲），1mA（60s 脉冲）
    • 1200V 关断电压
    • R ON = 130Ω (T J = 25°C)
    • T ON，T OFF < 700µs
  • 低初级侧电源电流
    • 9mA 导通状态电流
    • 3.5 µA 关断状态电流
  • 功能安全型
    • 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的 文档
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1000V RMS/1500V DC 工作电压下预计寿命超过 26 年
    • 隔离额定值 V ISO 高达 3750V RMS/5300V DC
    • 峰值浪涌 V IOSM 高达 5000V
    • ± 100 V/ns CMTI（典型值）
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装 ，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙 ≥ 6mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （计划）UL 1577 组件认证计划
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，T A
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对过压条件下的可靠性认证进行设计和认证，包括系统级电介质耐压测试 (Hi-Pot)
      • I AVA = 2mA（5s 脉冲），1mA（60s 脉冲）
    • 1200V 关断电压
    • R ON = 130Ω (T J = 25°C)
    • T ON，T OFF < 700µs
  • 低初级侧电源电流
    • 9mA 导通状态电流
    • 3.5 µA 关断状态电流
  • 功能安全型
    • 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的 文档
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1000V RMS/1500V DC 工作电压下预计寿命超过 26 年
    • 隔离额定值 V ISO 高达 3750V RMS/5300V DC
    • 峰值浪涌 V IOSM 高达 5000V
    • ± 100 V/ns CMTI（典型值）
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装 ，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙 ≥ 6mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （计划）UL 1577 组件认证计划

TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。

该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了 一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可直接由系统电源或 GPIO 输出驱动。 TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器解决方案通常所需的其他外部元件，例如电阻器和/或低侧开关。

次级侧都包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2 kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。

TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。

该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了 一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可直接由系统电源或 GPIO 输出驱动。 TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器解决方案通常所需的其他外部元件，例如电阻器和/或低侧开关。

次级侧都包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2 kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。
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证书 TPSI2140Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 2022年 4月 5日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPSI2140Q1EVM — TPSI2140-Q1 具有 2mA 雪崩额定值的 1200V 50mA 隔离开关评估模块

TPSI2140Q1EVM 评估模块是包含多个测试点和跳线的两铜层板，用于全面评估器件的功能。

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.A): PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

TPSI2140-Q1 PSpice Model

SLVMEA9.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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模拟工具

CMSO-3P-BCS — comemso 电池电芯仿真器

电池电芯仿真器 (BCS) 是任何测试电池管理系统 (BMS) 的核心。可以在电芯级别对 BMS 所有必需的状态和故障进行仿真。
来源：comemso elecronics GmbH
访问合作伙伴网站
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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TIDA-010232 — 高压电动汽车充电和太阳能中的绝缘监测 AFE 参考设计

此参考设计采用基于电桥的直流绝缘监测 (DC-IM) 方法，可实现精确的对称和非对称绝缘漏电检测机制，以及隔离电阻检测机制。我们推出了新一代隔离放大器和开关，无需热侧外部电源即可实现隔离。因此，MCU 可以从冷侧为隔离器件供电。绝缘监测诊断可直接由功率转换或充电协议 MCU 控制。
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TIDA-01513 — 汽车高压和隔离泄漏测量参考设计

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设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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