DRV8363-Q1
- 适用于汽车应用的 AEC-Q100 测试指导
- 器件环境温度：-40°C 至 +125°C
- 三相半桥栅极驱动器
- 驱动六个 N 通道 MOSFET (NMOS)
- 8V 至 85V 宽工作电压范围
- 适用于高侧栅极驱动器的自举架构
- 支持 50mA 平均栅极开关电流，能够以 20kHz 的频率驱动 400nC MOSFET
- 涓流电荷泵可支持 100% PWM 占空比，并可生成过驱电源以驱动外部切断或反极性保护电路
- 智能栅极驱动架构
- 高达 1000/2000mA（拉电流/灌电流）的 15 级可配置峰值栅极驱动电流
- 基于栅源电压监控的闭环自动死区时间插入
- 可配置的软关断可在过流关断期间更大限度地降低电感电压尖峰
- 低侧电流检测放大器
- 在整个温度范围内具有 1mV 的低输入失调电压
- 4 级可调增益
- 可调输出偏置，用于支持单向或双向检测
- 基于 SPI 的详细配置和诊断
- DRVOFF 引脚可独立禁用驱动器
- 高压唤醒引脚 (nSLEEP)
- 专用 ASCIN 引脚，用于控制电机制动（主动短路）
- 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
- 集成式保护功能
- 电池和电源电压监测器
- MOSFET VDS 和 Rsense 过电流监测器
- MOSFET VGS 栅极故障监测器
- 器件热警告和热关断
- 故障状态指示引脚
DRV8363-Q1 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于 48V 汽车类三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8363-Q1 使用外部 12V 电源和集成式自举二极管为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 16mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8363-Q1 可在电机连接处以 8V 至 85V 的宽输入电压范围运行。涓流电荷泵使栅极驱动器能够支持 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。
DRV8363-Q1 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精确的电机电流测量。
DRV8363-Q1 集成了各种诊断和保护功能，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。
技术文档
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查看全部 5 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | DRV8363-Q1 具有精确电流检测和高级监测功能的 48V 电池三相智能栅极驱动器 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025年 6月 11日 |
| 应用简报 | Understanding Gate Driver Slew Rate Control, MOSFET Switching Optimization and Protection Features | 2025年 7月 18日 | ||||
| 证书 | DRV8363-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025年 4月 11日 | ||||
| EVM 用户指南 | DRV8363-Q1EVM User's Guide | PDF | HTML | 2025年 4月 3日 | |||
| 应用手册 | 所选封装材料的热学和电学性质 | 2008年 10月 16日 |
设计和开发
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评估板
DRV8363-Q1EVM — DRV8363-Q1 评估模块
DRV8363-Q1EVM 是一款基于 DRV8363-Q1 栅极驱动器（适用于 BLDC 电机）的 30A 三相无刷直流驱动级。
该 EVM 可快速评估 DRV8363-Q1 器件，该器件通过梯形换向和控制来旋转 BLDC 电机。
包含的所有电源状态 LED 以及故障 LED 可用于提供用户反馈。此套件需要使用 C2000 launchpad (LAUNCHXL-F280049C) 控制 DRV8363-Q1，并监控和报告故障。
需要 LAUNCHXL-F280049C LaunchPad™ 开发套件，但未包含在此 EVM 套件中。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RGZ) | 48 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点