产品详情

Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 8 Vs ABS (max) (V) 85 Features Current sense Amplifier, SPI/I2C, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety-Compliant
Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 8 Vs ABS (max) (V) 85 Features Current sense Amplifier, SPI/I2C, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety-Compliant
VQFN (RGZ) 48 49 mm² 7 x 7
  • 适用于汽车应用的 AEC-Q100 测试指导
    • 器件环境温度:-40°C 至 +125°C
  • 三相半桥栅极驱动器
    • 驱动六个 N 通道 MOSFET (NMOS)
    • 8V 至 85V 宽工作电压范围
    • 适用于高侧栅极驱动器的自举架构
    • 支持 50mA 平均栅极开关电流,能够以 20kHz 的频率驱动 400nC MOSFET
    • 涓流电荷泵可支持 100% PWM 占空比,并可生成过驱电源以驱动外部切断或反极性保护电路
  • 智能栅极驱动架构
    • 高达 1000/2000mA(拉电流/灌电流)的 15 级可配置峰值栅极驱动电流
    • 基于栅源电压监控的闭环自动死区时间插入
    • 可配置的软关断可在过流关断期间更大限度地降低电感电压尖峰
  • 低侧电流检测放大器
    • 在整个温度范围内具有 1mV 的低输入失调电压
    • 4 级可调增益
    • 可调输出偏置,用于支持单向或双向检测
  • 基于 SPI 的详细配置和诊断
  • DRVOFF 引脚可独立禁用驱动器
  • 高压唤醒引脚 (nSLEEP)
  • 专用 ASCIN 引脚,用于控制电机制动(主动短路)
  • 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 集成式保护功能
    • 电池和电源电压监测器
    • MOSFET VDS 和 Rsense 过电流监测器
    • MOSFET VGS 栅极故障监测器
    • 器件热警告和热关断
    • 故障状态指示引脚
  • 适用于汽车应用的 AEC-Q100 测试指导
    • 器件环境温度:-40°C 至 +125°C
  • 三相半桥栅极驱动器
    • 驱动六个 N 通道 MOSFET (NMOS)
    • 8V 至 85V 宽工作电压范围
    • 适用于高侧栅极驱动器的自举架构
    • 支持 50mA 平均栅极开关电流,能够以 20kHz 的频率驱动 400nC MOSFET
    • 涓流电荷泵可支持 100% PWM 占空比,并可生成过驱电源以驱动外部切断或反极性保护电路
  • 智能栅极驱动架构
    • 高达 1000/2000mA(拉电流/灌电流)的 15 级可配置峰值栅极驱动电流
    • 基于栅源电压监控的闭环自动死区时间插入
    • 可配置的软关断可在过流关断期间更大限度地降低电感电压尖峰
  • 低侧电流检测放大器
    • 在整个温度范围内具有 1mV 的低输入失调电压
    • 4 级可调增益
    • 可调输出偏置,用于支持单向或双向检测
  • 基于 SPI 的详细配置和诊断
  • DRVOFF 引脚可独立禁用驱动器
  • 高压唤醒引脚 (nSLEEP)
  • 专用 ASCIN 引脚,用于控制电机制动(主动短路)
  • 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 集成式保护功能
    • 电池和电源电压监测器
    • MOSFET VDS 和 Rsense 过电流监测器
    • MOSFET VGS 栅极故障监测器
    • 器件热警告和热关断
    • 故障状态指示引脚

DRV8363-Q1 是一款集成式智能栅极驱动器,适用于 48V 汽车类三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8363-Q1 使用外部 12V 电源和集成式自举二极管为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 16mA 至 1A(拉电流)和 2A(灌电流)的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8363-Q1 可在电机连接处以 8V 至 85V 的宽输入电压范围运行。涓流电荷泵使栅极驱动器能够支持 100% PWM 占空比控制,并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。

DRV8363-Q1 提供低侧电流检测放大器,用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精确的电机电流测量。

DRV8363-Q1 集成了各种诊断和保护功能,可实现稳健的电机驱动系统设计,还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性,能够无缝集成到各种系统设计中。

DRV8363-Q1 是一款集成式智能栅极驱动器,适用于 48V 汽车类三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8363-Q1 使用外部 12V 电源和集成式自举二极管为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 16mA 至 1A(拉电流)和 2A(灌电流)的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8363-Q1 可在电机连接处以 8V 至 85V 的宽输入电压范围运行。涓流电荷泵使栅极驱动器能够支持 100% PWM 占空比控制,并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。

DRV8363-Q1 提供低侧电流检测放大器,用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精确的电机电流测量。

DRV8363-Q1 集成了各种诊断和保护功能,可实现稳健的电机驱动系统设计,还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性,能够无缝集成到各种系统设计中。

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证书 DRV8363-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 4月 11日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DRV8363-Q1EVM — DRV8363-Q1 评估模块

DRV8363-Q1EVM 是一款基于 DRV8363-Q1 栅极驱动器(适用于 BLDC 电机)的 30A 三相无刷直流驱动级。

该 EVM 可快速评估 DRV8363-Q1 器件,该器件通过梯形换向和控制来旋转 BLDC 电机。

包含的所有电源状态 LED 以及故障 LED 可用于提供用户反馈。此套件需要使用 C2000 launchpad (LAUNCHXL-F280049C) 控制 DRV8363-Q1,并监控和报告故障。

需要 LAUNCHXL-F280049C LaunchPad™ 开发套件,但未包含在此 EVM 套件中。

用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
参考设计

TIDA-020094 — 48V zone reference design

This reference design demonstrates trends in advanced automotive 48V low voltage rail architectures. The design includes the 48V backbone architecture and 48V to 12V power conversion. The reference design highlights 48V load drivers across key products. These products include high side switches (...)
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RGZ) 48 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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