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设计与开发

LMG3411EVM-029

具有逐周期过流保护的 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3411EVM-029

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概述

LMG3411EVM-029 将两个 LMG3411R070 GaN FET 配置到具有逐周期过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG3411R070 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单路板载 PWM 输入（具有 50 ns 死区时间）
  • 逐周期过流保护功能
  • 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN
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  1. 订购 LMG3411EVM-029 具有逐周期过流保护的 600V 70mΩ GaN 半桥子卡
  2. （可选）订购 LMG34XX-BB-EVM 适用于 LMG341x 系列的 GaN 系统级评估主板
  3. 阅读使用 LMG3411EVM-029 半桥和 LMG34XXBB-EVM 分线板 EVM 用户指南

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Evaluating LMG3411R070 GaN FET power stage

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子卡

LMG3411EVM-029 — 具有逐周期过流保护功能的 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

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为什么必需？ This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板
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LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板
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为什么必需？ This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡 LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡 LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-018 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-029 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-031 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡
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适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* EVM 用户指南 Using the LMG3411R070EVM Half-Bridge and LMG34XXBB-EVM Breakout Board EVM 2018-10-24
数据表 LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN with Integrated Driver and Protection 数据表 (Rev. F) PDF | HTML 2020-4-6

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