LMG3410-HB-EVM

LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

LMG3410-HB-EVM

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概述

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板,可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半桥板配置为同步降压转换器。  通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。  该 EVM 能够在提供充分热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 8A 的输出电流,从而确保不超出最大工作温度。  该 EVM 不适合用于瞬态测量,因为该板是开环板。
仅需要一个脉宽调制输入,即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。  提供了探测点,从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
LMG3410-HB-EVM 使用所有必要的辅助外围电路在半桥中配置两个 LMG3410R070 GaN FET。  此 EVM 旨在与较大系统(例如 LMG34XX-BB-EVM 或定制设计的功率级)配合使用。  通过在具有便利连接点的高性能布局上提供 LMG3410R070,可以快速轻松地实现运行和电路中的测量。

无需电平转换或隔离,已包含所有必要的电路。  可通过两种方式生成辅助偏置,默认通过仅需要单个 5V 输入的隔离式电源,也可配置为通过 12V 电源以自举模式运行。  为散热器组件提供了外露的铜焊盘,以实现更高的功率耗散。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG3410R070 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单路板载 PWM 输入(具有 50 ns 死区时间)
  • 用于使用示波器探针(具有短接地弹簧探针)进行逻辑和功率级测量的便利探测点

  • LMG3410-HB-EVM

数字隔离器
ISO7831 高隔离额定值、三通道、2/1、增强型数字隔离器

 

氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R050 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN
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LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

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LMG34XX-BB-EVM 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板
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为什么必需? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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LMG3410-HB-EVM LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡 LMG3410EVM-018 LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡 LMG3410EVM-031 LMG3410R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-018 具有逐周期过流保护的 LMG3411R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-029 具有逐周期过流保护的 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-031 具有逐周期过流保护的 LMG3411R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡
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* EVM 用户指南 Using the LMG3410-HB-EVM Half-Bridge and LMG34XX-BB-EVM Breakout Board EVM (Rev. A) 2017-5-3
数据表 LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN with Integrated Driver and Protection 数据表 (Rev. F) PDF | HTML 2020-4-6
数据表 LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 2020-1-16
证书 LMG3410-HB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019-1-2
技术文章 Is integrated GaN changing the conventional wisdom? PDF | HTML 2016-10-7

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