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设计与开发

LMG3410EVM-018

LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3410EVM-018

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概述

LMG3410EVM-018 将两个具有集成式驱动器和保护功能的 LMG3410R050 600-V GaN FET 配置到了一个半桥中。此 EVM 随附所有必要的辅助外围电路，旨在与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG3410R050 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单路板载 PWM 输入（具有 50 ns 死区时间）
  • 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN
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Evaluating LMG3410R050 GaN FET power stage

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子卡

LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡

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为什么必需？ This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
支持的产品和硬件

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LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板
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为什么必需？ This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡 LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡 LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-018 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-029 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-031 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡
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* EVM 用户指南 Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 2019-3-8
数据表 LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 2020-1-16
证书 LMG3410EVM-018 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019-1-2

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