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EMB1412

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MOSFET ゲート・ドライバ

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比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品
UCC27624 アクティブ 4V UVLO (低電圧ロックアウト) 搭載、30V VDD 対応、短い伝搬遅延、5A/5A、デュアルチャネル、ゲート ドライバ More recent driver with higher supply voltage capability

EMB1412

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製品詳細

Rating Catalog Features MOSFET Gate Driver Device type Cell monitor and balancer Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Features MOSFET Gate Driver Device type Cell monitor and balancer Operating temperature range (°C) -40 to 125
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
    Output Current Variation
  • 7 A Sink/3 A Source Current
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise
    Fall with 2 nF Load)
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide
    Either Configuration with a Single Device
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split
    Supply or Single Supply Operation
  • Thermally Enhanced 8-Pin VSSOP Package
  • Output Swings from VCC to VEE Which can
    be Negative Relative to Input Ground
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
    Output Current Variation
  • 7 A Sink/3 A Source Current
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise
    Fall with 2 nF Load)
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide
    Either Configuration with a Single Device
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split
    Supply or Single Supply Operation
  • Thermally Enhanced 8-Pin VSSOP Package
  • Output Swings from VCC to VEE Which can
    be Negative Relative to Input Ground

The EMB1412 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in 8-lead exposed-pad VSSOP package, with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The EMB1412 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

The EMB1412 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in 8-lead exposed-pad VSSOP package, with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The EMB1412 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート EMB1412 MOSFET Gate Driver データシート (Rev. B) PDF | HTML 2014年 11月 20日
アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション概要 Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日

設計および開発

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評価ボード

UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1、デュアル、4A、高速ローサイド MOSFET ドライバ、イネーブル付き評価基板 (EVM)

UCC2742xQ1 EVM は、UCC2742xQ1 ドライバを迅速かつ簡単に起動するための試験プラットフォームを提供する高速デュアル MOSFET 評価基板です。4V ~ 15Vの単一外部電源電圧で動作し、複数のテスト ポイントと複数のジャンパを備えています。すべてのデバイスは入力と出力が独立しており、共通のグランドを共有しています。イネーブル（ENBL）機能により、ドライバの動作を細い制御が可能で、同じイネーブルピンで複数デバイスのドライバ信号の ON/OFF が可能です。
ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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