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UC1825B-SP

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耐辐射 QMLV、30V 输入、2A 双输出 1MHz PWM 控制器

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Topology Boost, Flyback, Forward, Full bridge, Half bridge, Push pull Control mode Peak current mode Features Adjustable switching frequency, Enable/Shutdown, Error amplifier, Integrated gate drivers, Programmable soft start, Soft start Duty cycle (max) (%) 80
Topology Boost, Flyback, Forward, Full bridge, Half bridge, Push pull Control mode Peak current mode Features Adjustable switching frequency, Enable/Shutdown, Error amplifier, Integrated gate drivers, Programmable soft start, Soft start Duty cycle (max) (%) 80
CFP (HKT) 16 72.136 mm² 10.16 x 7.1 DIESALE (KGD) See data sheet
  • 符合 QML-V 标准,SMD 5962-8768106
  • 5962 R8768106VYC:
    • 耐辐射加固保障 (RHA) 能力高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID) (1)
  • 与电压或电流模式拓扑兼容
  • 实际工作开关频率高达 1MHz
  • 50ns 传播延迟到输出
  • 大电流双图腾柱输出(2A 峰值)
  • 宽带宽误差放大器
  • 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑
  • 逐脉冲电流限制
  • 软启动/最大占空比控制
  • 带有迟滞功能的欠压锁定
  • 低启动电流 (1.1mA)

(1)辐射耐受性是基于初始器件认证(剂量率 = 10mrad(Si)/s)获得的典型值。提供辐射批次验收测试 - 详细信息请联系厂家。

  • 符合 QML-V 标准,SMD 5962-8768106
  • 5962 R8768106VYC:
    • 耐辐射加固保障 (RHA) 能力高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID) (1)
  • 与电压或电流模式拓扑兼容
  • 实际工作开关频率高达 1MHz
  • 50ns 传播延迟到输出
  • 大电流双图腾柱输出(2A 峰值)
  • 宽带宽误差放大器
  • 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑
  • 逐脉冲电流限制
  • 软启动/最大占空比控制
  • 带有迟滞功能的欠压锁定
  • 低启动电流 (1.1mA)

(1)辐射耐受性是基于初始器件认证(剂量率 = 10mrad(Si)/s)获得的典型值。提供辐射批次验收测试 - 详细信息请联系厂家。

UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换率的同时,大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压模式系统,此系统具有输出电压前馈功能。

保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚,此引脚可对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供无抖动运行,并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有 800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压闭锁期间,输出为高阻抗。

这个器件特有推挽式输出,此输出被设计用来拉、灌来自电容负载(诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极)的高峰值电流。导通状态设计为高电平。

UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换率的同时,大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压模式系统,此系统具有输出电压前馈功能。

保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚,此引脚可对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供无抖动运行,并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有 800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压闭锁期间,输出为高阻抗。

这个器件特有推挽式输出,此输出被设计用来拉、灌来自电容负载(诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极)的高峰值电流。导通状态设计为高电平。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
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* 辐射与可靠性报告 UC1825B-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) PDF | HTML 2024年 6月 7日
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用户指南 UC1825B-SP evaluation module (EVM) user's guide 2019年 3月 29日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UC1825BEVM-CVAL — 5V/50W 推挽评估模块

UC1825B-SP EVM 使用推挽式拓扑展示 SP 过程的功能。该控制器与 UC1901-SP 配合使用时,能够满足隔离和非隔离调节要求。此设计能够使用输出扼流圈,以允许非常低的纹波,从而实现高输出电压精度。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UC1825 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM653.TSC (5219 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

UC1825 Unencrypted TINA-TI Transient Spice Model

SLUM673.ZIP (6 KB) - TINA-TI Spice Model
参考设计

PMP22680 — 带磁反馈的 40W、±15V 反激式参考设计

此参考设计在 40W 下可从 70V 至 120V 直流输入电压生成隔离式 ±15V 输出。该设计使用磁反馈电路来替代光耦合器的功能。
测试报告: PDF
参考设计

PMP23033 — 具有磁反馈的 40W 5V 单开关正向转换器参考设计

此参考设计在 40W 下从 60V 至 120V 直流输入电压生成隔离式 5V 电压。该设计使用磁反馈电路来替代光耦合器的功能。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
CFP (HKT) 16 Ultra Librarian
DIESALE (KGD)

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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