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TXS4555

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具有电平转换器的 SIM 卡电源

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产品详情

Bits (#) 3 Data rate (max) (Mbps) 50 Technology family TXS Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 3.3 Supply current (max) (mA) 0.005 Features Single LDO Applications SIM Card Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 3 Data rate (max) (Mbps) 50 Technology family TXS Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 3.3 Supply current (max) (mA) 0.005 Features Single LDO Applications SIM Card Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
UQFN (RUT) 12 3.4 mm² 2 x 1.7 VQFN (RGT) 16 9 mm² 3 x 3
  • 电平转换器
    • 1.65V 至 3.3V 的 VCC范围
    • 2.3 至 5.5V 的 VBATT范围
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 带有使能的 50mA LDO 稳压器
    • 1.8V 至 2.95V 可选输出电压
    • 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
    • 极低压降：电流为 50mA 时为 100mV（最大值）
  • 为 SIM 卡信号整合了关断特性，符合 ISO-7816-3 标准
  • 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2000V 人体模型 (A114-A)
    • 500V 充电器件模型 (C101)
    • 针对 SIM 引脚的 8kV
  • 封装
    • 16 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (3mm x 3mm)
    • 12 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (2mm x 1.7mm)
  • 电平转换器
    • 1.65V 至 3.3V 的 VCC范围
    • 2.3 至 5.5V 的 VBATT范围
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 带有使能的 50mA LDO 稳压器
    • 1.8V 至 2.95V 可选输出电压
    • 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
    • 极低压降：电流为 50mA 时为 100mV（最大值）
  • 为 SIM 卡信号整合了关断特性，符合 ISO-7816-3 标准
  • 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2000V 人体模型 (A114-A)
    • 500V 充电器件模型 (C101)
    • 针对 SIM 引脚的 8kV
  • 封装
    • 16 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (3mm x 3mm)
    • 12 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (2mm x 1.7mm)

TXS4555 是一款完整的智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，可用来将无线基带处理器与 SIM 卡对接，从而可为移动手持终端应用存储 I/O 数据。 该器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 B 类 (2.95V) 与 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器，一个低压降 (LDO) 稳压器，此稳压器具有可在 2.95V B 类与 1.8V C 类接口之间选择的输出电压。

请注意：裸露的中心散热焊盘必须连接至接地。

该器件具有两组电源电压引脚。 VCC 支持 1.65V 至 3.3V 的整个电压范围，而 VBATT则支持 2.3 至 5.5V 间的电压。VPWR 可设置为 1.8V 或 2.95V，并由内部 LDO 供电。 集成型 LDO 可接受高达 5.5V 的输入电压，并可在 50mA 电流下向 B 端电路系统及外部 SIM 卡输出 1.8V 或 2.95V 的电压。 TXS4555 可帮助系统设计人员轻松将低电压微处理器连接至工作电压为 1.8V 或 2.95V 的 SIM 卡。

此外，TXS4555 还根据针对 SIM 卡的 ISO 7816-3 技术规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 SIM 卡信号的适当关断可在电话意外关机时保护数据免受损坏。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8kV HBM 保护，而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。

TXS4555 是一款完整的智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，可用来将无线基带处理器与 SIM 卡对接，从而可为移动手持终端应用存储 I/O 数据。 该器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 B 类 (2.95V) 与 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器，一个低压降 (LDO) 稳压器，此稳压器具有可在 2.95V B 类与 1.8V C 类接口之间选择的输出电压。

请注意：裸露的中心散热焊盘必须连接至接地。

该器件具有两组电源电压引脚。 VCC 支持 1.65V 至 3.3V 的整个电压范围，而 VBATT则支持 2.3 至 5.5V 间的电压。VPWR 可设置为 1.8V 或 2.95V，并由内部 LDO 供电。 集成型 LDO 可接受高达 5.5V 的输入电压，并可在 50mA 电流下向 B 端电路系统及外部 SIM 卡输出 1.8V 或 2.95V 的电压。 TXS4555 可帮助系统设计人员轻松将低电压微处理器连接至工作电压为 1.8V 或 2.95V 的 SIM 卡。

此外，TXS4555 还根据针对 SIM 卡的 ISO 7816-3 技术规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 SIM 卡信号的适当关断可在电话意外关机时保护数据免受损坏。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8kV HBM 保护，而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。
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设计和开发

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仿真模型

TXS4555 IBIS Model

SBOM452.ZIP (47 KB) - IBIS Model
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
UQFN (RUT) 12 Ultra Librarian
VQFN (RGT) 16 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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