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TXS02326A

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具有自动检测和插槽专用双路 LDO 的双电源 2:1 SIM 卡多路复用器/转换器

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产品详情

Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 120 Technology family TXS Vout (min) (V) 0.74 Supply current (max) (mA) 0.005 Features Dual LDO, Edge rate accelerator Applications SIM Card Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 120 Technology family TXS Vout (min) (V) 0.74 Supply current (max) (mA) 0.005 Features Dual LDO, Edge rate accelerator Applications SIM Card Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 电平转换器
    • VDDIO 范围介于 1.7V 至 3.3V 之间
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 带有使能的 50mA LDO 稳压器
    • 1.8V 至 2.95V 可选输出电压
    • 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
    • 极低压降：电流为 50mA 时为 100mV（最大值）
  • 通过配有基带处理器的 I2C 接口实现控制和通信
  • 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2500V 人体模型 (A114-B)
    • VSIM1，SIM1CLK，SIM1I/O，SIM1RST，VSIM2，SIM2CLK，SIM2I/O，SIM2RST 上的 6000V 人体模型 (A114-B)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 封装
    • 24 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (4mm x 4mm)
  • 电平转换器
    • VDDIO 范围介于 1.7V 至 3.3V 之间
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 带有使能的 50mA LDO 稳压器
    • 1.8V 至 2.95V 可选输出电压
    • 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
    • 极低压降：电流为 50mA 时为 100mV（最大值）
  • 通过配有基带处理器的 I2C 接口实现控制和通信
  • 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2500V 人体模型 (A114-B)
    • VSIM1，SIM1CLK，SIM1I/O，SIM1RST，VSIM2，SIM2CLK，SIM2I/O，SIM2RST 上的 6000V 人体模型 (A114-B)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 封装
    • 24 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (4mm x 4mm)

TXS02326A 是一款完全双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，此解决方案用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡接口相连，以存储移动手机应用程序的数据。 它是一个用于将一个单一 SIM/UICC 接口拓展成为支持两个 SIM/UICC 接口的定制器件。

该器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包括一个能够支持 B 类 (2.95V) 和 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器；两个具有可在 2.95V B 类和 1.8V C 类接口之间选择输出电压的低压降 (LDO) 稳压器；一个用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “从” I2C 控制寄存器接口；和一个用于内部定时生成的 32kHz 时钟输入。 为了对两个 SIM 卡安全断电，TXS02326A 还包括一个关断输入和一个可检测电池组取出的比较器输入。 关断输入和比较器输入装有两个由一个 8 位计数器实现的可编程防反跳计数器（即电池拆除关断保护引脚 (BSI) 输入和备用 SIM 卡热交换引脚 (SDN) 输入）电路。

电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VDDIO 设定针对基带接口的基准并可在 1.7V 至 3.3V 的电压下运行。 VSIM1 和 VSIM2 的电压可被设定为 1.8V 或者 2.95V，均由一个独立内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压，并向 B 侧电路及外部 B 类或 C 类 SIM 卡输出高达 50mA 的电流。

TXS02326A 是一款完全双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，此解决方案用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡接口相连，以存储移动手机应用程序的数据。 它是一个用于将一个单一 SIM/UICC 接口拓展成为支持两个 SIM/UICC 接口的定制器件。

该器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包括一个能够支持 B 类 (2.95V) 和 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器；两个具有可在 2.95V B 类和 1.8V C 类接口之间选择输出电压的低压降 (LDO) 稳压器；一个用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “从” I2C 控制寄存器接口；和一个用于内部定时生成的 32kHz 时钟输入。 为了对两个 SIM 卡安全断电，TXS02326A 还包括一个关断输入和一个可检测电池组取出的比较器输入。 关断输入和比较器输入装有两个由一个 8 位计数器实现的可编程防反跳计数器（即电池拆除关断保护引脚 (BSI) 输入和备用 SIM 卡热交换引脚 (SDN) 输入）电路。

电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VDDIO 设定针对基带接口的基准并可在 1.7V 至 3.3V 的电压下运行。 VSIM1 和 VSIM2 的电压可被设定为 1.8V 或者 2.95V，均由一个独立内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压，并向 B 侧电路及外部 B 类或 C 类 SIM 卡输出高达 50mA 的电流。
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设计和开发

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仿真模型

TXS02326A IBIS Model

SCEM552.ZIP (144 KB) - IBIS Model
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RGE) 24 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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