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ISO6520-Q1

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汽车级 100V 隔离双通道 2/0 数字隔离器

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产品详情

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 450 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 450 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 双通道 CMOS 输出功能隔离器
  • 50Mbps 数据速率
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 稳健可靠的 SiO2 隔离栅（CMTI 典型值为 ±150kV/µs）
  • 功能隔离(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作电压
    • 707VRMS、1000VDC 瞬态电压 (60s)
  • 宽电源电压范围：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO652x-Q1) 和低电平 (ISO652xF-Q1) 选项
  • 3.3V、1Mbps 时每通道电流典型值为 1.8mA
  • 低传播延迟：3.3V 时为 11ns（典型值）
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度
    • 超低辐射
  • 窄体 SOIC (8-D) 封装选项
  • 双通道 CMOS 输出功能隔离器
  • 50Mbps 数据速率
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 稳健可靠的 SiO2 隔离栅（CMTI 典型值为 ±150kV/µs）
  • 功能隔离(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作电压
    • 707VRMS、1000VDC 瞬态电压 (60s)
  • 宽电源电压范围：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO652x-Q1) 和低电平 (ISO652xF-Q1) 选项
  • 3.3V、1Mbps 时每通道电流典型值为 1.8mA
  • 低传播延迟：3.3V 时为 11ns（典型值）
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度
    • 超低辐射
  • 窄体 SOIC (8-D) 封装选项

ISO652x-Q1 器件是高性能双通道功能隔离器，适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 450VRMS 的工作电压，以及 1000VDC 的瞬态过压。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时，ISO652x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。ISO6520-Q1 具有 2 个同向隔离通道。ISO6521-Q1 具有 2 个隔离通道，每个方向各一个通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息，请参见器件功能模式部分。

这些器件有助于防止数据总线上的混合电压域系统（例如 CAN 和 LIN）之间的接地环路和噪声电流导致数据损坏。得益于芯片设计和布局布线技术，ISO652x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD 问题并符合辐射标准。

ISO652x-Q1 器件是高性能双通道功能隔离器，适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 450VRMS 的工作电压，以及 1000VDC 的瞬态过压。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时，ISO652x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。ISO6520-Q1 具有 2 个同向隔离通道。ISO6521-Q1 具有 2 个隔离通道，每个方向各一个通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息，请参见器件功能模式部分。

这些器件有助于防止数据总线上的混合电压域系统（例如 CAN 和 LIN）之间的接地环路和噪声电流导致数据损坏。得益于芯片设计和布局布线技术，ISO652x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD 问题并符合辐射标准。
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白皮书 通过系统设计中的功能隔离减小解决方案尺寸并降低 BOM 成 本 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 8月 23日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

ISO6521REUEVM — ISO6521 适用于数字信号的双通道功能隔离器评估模块

ISO6521REUEVM 是一款用于评估采用 8 引脚 DFN 封装的双通道 ISO6521 功能隔离器的评估模块 (EVM)。此 EVM 具有其他封装，可让用户灵活地添加元件来测试各种常见应用。此 EVM 还具有多个测试点，支持使用较少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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