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CSD87384M

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采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 30 Power loss (W) 3.7 Ploss current (A) 25 Features Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 30 Power loss (W) 3.7 Ploss current (A) 25 Features Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PTAB (MPB) 5 17.5 mm² 5 x 3.5
  • 半桥电源块
  • 电流 25A 时，系统效率达到 90.5%
  • 高达 30A 的工作电流
  • 高密度 - 5mm × 3.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
  • 双侧冷却能力
  • 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅

应用范围

  • 同步降压转换器
    • 高频应用
    • 高电流、低占空比应用
  • 多相位同步降压转换器
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 半桥电源块
  • 电流 25A 时，系统效率达到 90.5%
  • 高达 30A 的工作电流
  • 高密度 - 5mm × 3.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
  • 双侧冷却能力
  • 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅

应用范围

  • 同步降压转换器
    • 高频应用
    • 高电流、低占空比应用
  • 多相位同步降压转换器
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器

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此 CSD87384M NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5.0mm × 3.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，此款产品可提供高效且灵活的解决方案，此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动成对使用时，均可提供一个高密度电源。

此 CSD87384M NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5.0mm × 3.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，此款产品可提供高效且灵活的解决方案，此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动成对使用时，均可提供一个高密度电源。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD87384M 同步降压 NexFET 电源块 II 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2015年 7月 6日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训