隔離式閘極驅動器

適合多種應用領域的高度穩固、靈活及普遍相容的裝置
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使用我們彈性且普遍相容的隔離式閘極驅動器組建適合多種應用領域的更小且更穩健耐用的設計。從基本與功能隔離到強型化隔離,我們的隔離式閘極驅動器可讓您建立免於觸電的設計,同時為高電壓提供更多防護。 

依隔離額定值選擇


功能型與基本隔離

提供高達 3 kVRMS 的單一電力隔離等級,並提供足夠的觸電防護。

強化型隔離

啟用高達 5.7 kVRMS 的隔離作業協助提供觸電防護,並可提供更高的工作電壓,更寬廣爬電距離和間隙距離,以提高系統強固性。

請依功能安全選擇


功能安全品質管理


符合功能安全

相關類別


隔離

進一步了解我們完整的隔離產品組合。

隔離式 DC/DC 偏壓電源轉換器與模組

將您的隔離式閘極驅動器與來自我們隔離式 DC/DC 轉換器和模組產品組合的隔離式偏壓電源配對。

電源趨勢

適用於功率密度 & 隔離的隔離式閘極驅動器

隔離裝置允許在高電壓與低電壓單元間進行資料與電源傳輸的隔離裝置,同時防止來自電網的危險 DC 或未受控制瞬態電流流動。整合隔離器與高速閘極驅動器以實現隔離穩健性。閘極驅動器具備基本、功能與強化隔離功能,並可接受控制器 IC 的低功率輸入,為 MOSFET、IGBT、SiC 或 GaN 電源開關產生適當的高電流閘極驅動器。


White paper

Enabling high voltage quality and reliability

本簡報主要探討支援 ASIL 級應用的隔離式閘極驅動器功能,並保護電源裝置使其免受損壞。
White paper

高效整合式動力傳動解決方案: EV 普及的關鍵所在

本文件檢視採用寬能隙半導體開關與隔離式閘極驅動器的整合式動力傳動解決方案優點,以加快電動車的採用速度。
Application note

HEV/EV Traction Inverter Design Guide Using Isolated IGBT and SiC Gate Drivers (Rev. B)

本應用報告說明如何利用我們隔離式閘極驅動器的診斷與保護功能來設計 HEV/EV 牽引變流器驅動系統。

UCC5881-Q1現行

具有進階防護功能的車用、20A 即時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式閘極驅動器

UCC21732-Q1現行

適用於 IGBT/SiCFET 且具有 2 段式關閉功能的車用 5.7-kVrms ±10A 單通道隔離式閘極驅動器

UCC21750-Q1現行

適用於 IGBT/SiC 且具有 DESAT 和內部鉗位的車用 5.7kVrms、±10A 單通道絕緣式閘極驅動器

Technical Resources

White paper

Impact of an isolated gate driver (Rev. A)

本白皮書說明隔離式閘極驅動器作為電源開關功能的優點及需求。

隔離式閘極驅動器認證

我們的裝置符合車用及工業設計的全球業界標準。多個獨立認證實驗室會測試並認證我們的隔離式裝置是否具有電氣絕緣強度。

隔離式閘極驅動器 101

透過研究產品規格表絕緣表和隔離測試方法,以及利用我們最先進的隔離式閘極驅動器最佳化系統性能的最佳實務,以了解隔離技術。

Design & development resources

參考設計

配備光學模擬輸入閘極驅動器,且適用於 200-480 VAC 驅動器的三相逆變器參考設計

此參考設計採用隔離式 IGBT 閘極驅動器和隔離式電流/電壓感測器,實現強化隔離式三相逆變器子系統。所使用的 UCC23513 閘極驅動器採用 6 針腳寬體封裝和 LED 光學模擬輸入,可做為現有光學隔離式閘極驅動器的針腳對針腳替代品。此設計表明,可利用所有用於驅動光學隔離式閘極驅動器的現有配置來驅動 UCC23513 輸入級。使用 AMC1300B 隔離式放大器和 DC 鏈路電壓實現基於同相分流電阻器的馬達電流感測,使用 AMC1311 隔離式放大器實現 IGBT 模組溫度感測。此設計使用 C2000™ LaunchPad™ 進行逆變器控制。
參考設計

11-kW、雙向三相三級 (T 型) 逆變器和 PFC 參考設計

此參考設計概述了雙向三階、三相、SiC 式主動前端 (AFE) 逆變器和功率因數校正 (PFC) 階段的實作方式。此設計使用高達 90kHz 的切換頻率和 LCL 輸出濾波器來縮小磁性元件尺寸。達成了 98.6% 的峰值效率。此設計展示如何在 DQ 領域中實作完整的三相 AFE 控制。此雙向轉換器可實現 DC 快速充電及車輛至電網 (V2G) 應用。
參考設計

適用於 HEV/EV 車載充電器的 98.6% 效率、6.6-kW 圖騰柱 PFC 參考設計

此參考設計的運作基礎為碳化矽 (SiC) MOSFET,而這些 MOSFET 由 C2000 微控制器 (MCU) 透過 SiC 隔離式閘極驅動器進行驅動。此設計採用三相交錯技術,並以連續傳導模式 (CCM) 運作,可在 240-V 輸入電壓和 6.6-kW 全功率下實現 98.46% 的效率。C2000 控制器可實現切相及適應性失效時間控制,以改善輕負載下的功率因數。閘極驅動器電路板(請參閱 TIDA-01605)可提供 4-A 源極與 6-A 汲極峰值電流。閘極驅動器電路板採用強化型隔離,可承受超過 100-V/ns 的共模暫態抗擾度 (...)