产品详情

Rating Automotive Ground offset voltage (max) (V) 80 Bits (#) 2 Topology Open drain Applications GPIO, I2C, SMBus Forward/reverse channels 2/2 Isolation rating Functional Data rate (max) (Mbps) 2 Prop delay (ns) 69 CMTI (V/µs) 500 Output drive capability (max) (mA) 50 Technology family TXG Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 2.25 Vout (max) (V) 5.5 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 4.2 Features AEC Q100
Rating Automotive Ground offset voltage (max) (V) 80 Bits (#) 2 Topology Open drain Applications GPIO, I2C, SMBus Forward/reverse channels 2/2 Isolation rating Functional Data rate (max) (Mbps) 2 Prop delay (ns) 69 CMTI (V/µs) 500 Output drive capability (max) (mA) 50 Technology family TXG Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 2.25 Vout (max) (V) 5.5 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 4.2 Features AEC Q100
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 双向 I2C 兼容通信
  • 支持标准模式、快速模式和超快速模式 I2C 操作
  • 支持高达 ±80V 的DV偏移
  • 数据传输速率高达 1MHz
  • 侧 1 电源电压范围:3V 至 5.5V
  • 侧 2 电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 最大容性负载:
    • 80pF(侧 1)和 550pF(侧 2)
  • 具有电流吸收能力的开漏输出:
    • 3.5mA(侧 1)和 50mA(侧 2)
  • 在 400kHz 下功耗低(典型值):
    • ICC1 = 3.1mA、ICC2 = 0.7mA
  • 工作温度范围为 –40°C 至 +125°C
  • CMTI 为 500V/µs
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范的要求
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2000V 人体放电模型
    • 500V 充电器件模型
  • 提供的封装选项:SOIC (8D)、WSON (8DSG)、SOT-23 (8DDF)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 双向 I2C 兼容通信
  • 支持标准模式、快速模式和超快速模式 I2C 操作
  • 支持高达 ±80V 的DV偏移
  • 数据传输速率高达 1MHz
  • 侧 1 电源电压范围:3V 至 5.5V
  • 侧 2 电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 最大容性负载:
    • 80pF(侧 1)和 550pF(侧 2)
  • 具有电流吸收能力的开漏输出:
    • 3.5mA(侧 1)和 50mA(侧 2)
  • 在 400kHz 下功耗低(典型值):
    • ICC1 = 3.1mA、ICC2 = 0.7mA
  • 工作温度范围为 –40°C 至 +125°C
  • CMTI 为 500V/µs
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范的要求
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2000V 人体放电模型
    • 500V 充电器件模型
  • 提供的封装选项:SOIC (8D)、WSON (8DSG)、SOT-23 (8DDF)

TXG8122-Q1 器件是适用于 I2C 的双路双向、基于非电流的电压和接地电平转换器。该器件支持使用两个独立的可配置电源轨:侧 1 设计为可跟踪 VCC1,该端口支持 3V 至 5.5V 的任何电源电压。侧 2 设计为可跟踪 VCC2,该端口支持 2.25V 至 5.5V 的任何电源电压。与传统的电平转换器相比,TXG8122-Q1 可以解决高达 ±80V 的不同接地电平之间的电压转换问题。只要 GNDA 和 GNDB 之间的差值保持在 -80V 至 +80V之间,GNDA 或 GNDB 都可能存在接地偏移。

简化版方框图 显示了一个常见用例,其中 GNDA 与 GNDB 之间存在直流漂移(由寄生电阻或电容引起)。TXG8122-Q1 在具有不同电源电压和不同接地基准的系统之间,能够支持基于 I2C 的通信。当 VCC 至 GND 短接时,GNDA 和 GNDB 之间的漏电流通常为 50nA。

TXG8122-Q1 器件是适用于 I2C 的双路双向、基于非电流的电压和接地电平转换器。该器件支持使用两个独立的可配置电源轨:侧 1 设计为可跟踪 VCC1,该端口支持 3V 至 5.5V 的任何电源电压。侧 2 设计为可跟踪 VCC2,该端口支持 2.25V 至 5.5V 的任何电源电压。与传统的电平转换器相比,TXG8122-Q1 可以解决高达 ±80V 的不同接地电平之间的电压转换问题。只要 GNDA 和 GNDB 之间的差值保持在 -80V 至 +80V之间,GNDA 或 GNDB 都可能存在接地偏移。

简化版方框图 显示了一个常见用例,其中 GNDA 与 GNDB 之间存在直流漂移(由寄生电阻或电容引起)。TXG8122-Q1 在具有不同电源电压和不同接地基准的系统之间,能够支持基于 I2C 的通信。当 VCC 至 GND 短接时,GNDA 和 GNDB 之间的漏电流通常为 50nA。

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技术文档

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* 数据表 适用于 I2C 的 TXG8122-Q1 ± 80V 双向接地电平转换器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 6月 12日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TXG-4CH-EVM — 4 通道接地电平转换器的 TXG 评估模块

TXG-4CH-EVM 是用于评估 TXGx04x 4 通道接地电平转换器产品系列的评估模块 (EVM)。EVM 支持多种封装选项,包括 16 引脚 DBQ、14 引脚 DYY 和 14 引脚 RUC。此 EVM 配置了多个测试点和连接选项来评估器件。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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