TPS73632-EP
- 受控基线:
- 一个组件
- 一个测试基地
- 一个制造基地
- 扩展的温度性能:-55°C 至 +125°C
- 增强型制造源减少 (DMS) 支持
- 改善了产品变更通知
- 资质谱系(1)
- 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
- 输入电压范围:1.7V 至 5.5V
- 超低压降电压:75mV(典型值)
- 可实现出色的负载瞬态响应(无论是否使用可选输出电容器)
- 全新的 NMOS 拓扑结构可提供低反向漏电流
- 低噪声:30µVRMS 典型值(10Hz 至 100kHz)
- 初始精度:0.5%
- 整个线路、负载和温度范围内的精度达 1%
- 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
- 热关断和指定最小/最大电流限制保护
- 提供了多个输出电压版本:
- 固定输出:1.2V 至 3.3V
- 可调输出:1.2V 至 5.5V
- 可提供定制输出
(1)元件资质符合 JEDEC 和行业标准,可确保在扩展工作温度范围内可靠运行。这包括但不限于高加速应力测试 (HAST) 或偏压 85/85、温度循环、热压器或无偏压 HAST、电迁移、键合金属间寿命和塑封材料寿命。此类认证测试不应作为在超出规定的性能和环境限值的情况下使用此元件的正当理由。
TPS736xx-EP 系列低压降 (LDO) 线性稳压器使用一种全新的拓扑结构:在一个电压输出器配置中使用一个 NMOS 导通元件。这个拓扑结构在使用具有低 ESR 的输出电容器时保持稳定,可实现无电容器运行。此系列还提供高反向阻断(低反向电流)和接地引脚电流,该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。
TPS736xx-EP 使用先进的 BiCMOS 工艺来在传送低压降电压和低接地引脚电流的同时保证高精度。未启用时,电流消耗低于 1µA,非常适合便携式应用。低的输出噪声(0.1µF CNR 时为 30µVRMS)使得此器件非常适合为 VCO 供电。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
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* | 数据表 | TPS736xx-EP 无电容 NMOS 400mA 低压降稳压器 具有反向电流保护功能 数据表 (Rev. D) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2025年 10月 7日 |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点