TPS73250-EP
- 受控基线:
- 一个封测厂,一个制造厂
- 扩展了温度性能范围:–55°C 至 +125°C
- 增强了制造源减少 (DMS) 支持
- 改善了产品变更通知周期
- 资质认证谱系(1)
- 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
- 输入电压范围:1.7V 至 5.5V
- 超低压降电压:250mA 时为 40mV 典型值
- 负载瞬态响应出色(无论是否使用可选输出电容器)
- 新的 NMOS 拓扑结构实现了低反向泄漏电流
- 低噪声:30µVRMS 典型值(10kHz 至 100kHz)
- 初始精度:0.5%
- 总体精度(包括线路、负载和温度精度)为 1%
- 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
- 热关断和指定最小/最大电流限制保护
- 提供了多个输出电压版本:
- 固定输出:1.2V 至 5V
- 可调输出:1.2V 至 5.5V
- 可提供定制输出
(1)元件资质认证符合 JEDEC 和行业标准,确保可在扩展的工作温度范围内可靠运行。其中包括但不限于高加速应力测试 (HAST) 或偏压 85/85、温度循环、高压蒸煮或无偏压 HAST、电迁移、键合金属间化合物寿命和模塑化合物寿命。此类资质认证测试不应视为在超出指定的性能和环境限值的情况下使用此元件的正当理由。
TPS732xx-EP 系列低压降 (LDO) 稳压器使用一种全新的拓扑结构:在一个电压跟随器配置中使用一个 NMOS 导通元件。这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定,甚至可实现无电容器运行。该系列还提供高反向阻断(低反向电流)和接地引脚电流,该电流在所有输出电流值上几乎保持恒定。
TPS732xx-EP 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供低压降电压和低接地引脚电流。未启用时,电流消耗低于 1µA,非常适合便携式应用。低输出噪声(0.1µF CNR 时为 30µVRMS)使得此器件非常适合为 VCO 供电。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
技术文档
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* | 数据表 | TPS732xx-EP 具有反向电流保护功能的无电容器、NMOS、250mA 低压降稳压器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2025年 10月 7日 |
* | 辐射与可靠性报告 | TPS73250MDBVREP Reliability Report | 2016年 1月 22日 |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点