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ISOM8110-EP

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具有 80% 至 160% CTR 的 DC 输入、晶体管输出、单通道光耦仿真器（增强型产品）

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ISOM8110-EP

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产品详情

Rating HiRel Enhanced Product Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 100 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 155 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 20 Forward current (IF) (min) (µA) 700 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
Rating HiRel Enhanced Product Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 100 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 155 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 20 Forward current (IF) (min) (µA) 700 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
SOIC (DFG) 4 24.57 mm² 3.51 x 7
  • 业界通用光晶体管光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版
  • 单通道 LED 仿真器输入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR)：100% 至 155%
  • 高集电极-发射极电压：VCE（最大值）= 80V
  • 稳健 SiO2 隔离栅
    • 隔离等级：3750VRMS
    • 工作电压：500VRMS，707VPK
    • 浪涌能力：10kVPK
  • 工作温度范围：-55°C 至 125°C
  • 响应时间：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3µs（典型值）
  • 安全相关认证（计划）
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 认证，3750VRMS 和5000VRMS隔离
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1 认证
    • CQC GB 4943.1 认证
  • 业界通用光晶体管光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版
  • 单通道 LED 仿真器输入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR)：100% 至 155%
  • 高集电极-发射极电压：VCE（最大值）= 80V
  • 稳健 SiO2 隔离栅
    • 隔离等级：3750VRMS
    • 工作电压：500VRMS，707VPK
    • 浪涌能力：10kVPK
  • 工作温度范围：-55°C 至 125°C
  • 响应时间：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3µs（典型值）
  • 安全相关认证（计划）
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 认证，3750VRMS 和5000VRMS隔离
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1 认证
    • CQC GB 4943.1 认证

ISOM8110-EP 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器。该器件是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。

与光耦合器相比，ISOM8110-EP 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

ISOM8110-EP 采用引脚间距为 2.54mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 隔离额定值。ISOM8110-EP 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、航空电子、国防等领域。

ISOM8110-EP 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器。该器件是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。

与光耦合器相比，ISOM8110-EP 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

ISOM8110-EP 采用引脚间距为 2.54mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 隔离额定值。ISOM8110-EP 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、航空电子、国防等领域。
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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 ISOM8110-EP 具有模拟晶体管输出的增强型单通道光耦仿真器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 8月 19日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

ISOM-EVM — 通用光耦仿真器评估模块

ISOM-EVM 支持评估采用 5 引脚 DFF、4 引脚 DFG、4 引脚 DFH 和 4 引脚 DFS SOIC 封装的 TI 光耦仿真器。通过更改 EVM 配置和元件值，可以重新配置该评估模块 (EVM)，以对不同的光耦仿真器、不同的输入信号或其他应用进行评估。该 EVM 没有在电路板上安装光耦仿真器 IC，允许用户安装自己选择的兼容 IC。用户可以将电路板分为三个单独的单元来单独测试印刷电路板。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DFG) 4 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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