Gallium nitride (GaN) motor drivers

GaN IPM 소개

GaN(질화갈륨)으로 제작된 인텔리전트 전력 모듈(IPM)은 기존의 실리콘 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 및 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT)에 비해 더 높은 전력 밀도와 효율을 구현합니다. 

장점:

• 전력계에서 99% 이상의 효율성으로 인해 히트 싱크와 같은 냉각 부품이 필요하지 않으므로 전체 효율성이 향상되고 모터 드라이버 시스템 크기가 줄어듭니다.
• 150ns 미만의 데드 타임 및 전파 지연과 높은 펄스 폭 변조 스위칭 주파수는 전류 왜곡을 줄여 음향 성능을 향상시킵니다.

GaN 하프 브리지 소개

GaN(질화 갈륨) 하프 브리지 전력 단계는 기존의 실리콘 MOSFET에 비해 탁월한 전력 밀도와 더 작은 풋프린트를 제공합니다.

장점:

• GaN 하프 브리지 전력 단계를 통해 PCB 크기를 50% 이상 줄일 수 있습니다.
• 높은 스위칭 주파수(100kHz)에서 전력 손실을 최대 50% 줄입니다.
• 세라믹 커패시터를 사용할 수 있어 안정성과 성능을 향상시킵니다.