Gallium nitride (GaN) motor drivers
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Unsere integrierte GaN-Technologie bietet einen Inverterwirkungsgrad von über 99 %. Dadurch verbessert sie die thermische Leistung erheblich und minimiert Leistungsverluste. Die erweiterte Integration und verbesserte Leistungsdichte ermöglichen einen geringeren Platzbedarf und senken die Kosten auf Systemebene. Die extrem niedrige Totzeit und Ausbreitungsverzögerung verbessern die akustische Leistung, reduzieren die Stromoberschwingungen und ermöglichen eine hochpräzise Strommessung. Maximale Energieeffizienz, keine Sperrverzögerung, genaue Anstiegsratensteuerung sowie Kurzschluss- und Überstromschutz verbessern die Systemzuverlässigkeit und verlängern die Lebensdauer von Motorantrieben.
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650-V-GaN-IPMs
GaN-Halbbrückentreiber mit < 200 V
Zugehörige Kategorien
Galliumnitrid-Technologie (GaN)
Vorteile unserer GaN-Motortreiber
Vorgestellte Technologien
Einführung in GaN-IPMs
Intelligente Leistungsmodule (IPMs) aus Galliumnitrid (GaN) ermöglichen eine höhere Leistungsdichte und Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (metal-oxide semiconductor field-effect transistors, MOSFETs) aus Silizium und Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (insulated gate bipolar transistors, IGBTs).
Vorteile:
- > 99 % Wirkungsgrad in der Leistungsstufe machen Kühlkomponenten wie Kühlkörper überflüssig, was den Gesamtwirkungsgrad verbessert und die Größe des Motortreibersystems reduziert.
- < 150 ns Totzeit und Ausbreitungsverzögerung in Verbindung mit höheren Schaltfrequenzen der Pulsweitenmodulation reduzieren die Stromverzerrung, um die akustische Leistung zu verbessern.
How Three-Phase Integrated GaN Technology Maximizes Motor-Drive Performance
Effiziente GaN-IPMs
Einführung in GaN-Halbbrücken
Halbbrücken-Leistungsstufen aus Galliumnitrid (GaN) bieten eine überragende Leistungsdichte und einen kompakteren Platzbedarf im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs.
Vorteile:
- Mit Halbbrücken-Leistungsstufen aus GaN die Platinengröße um über 50 % reduzieren.
- Die Leistungsverluste bei hohen Schaltfrequenzen (100 kHz) um bis zu 50 % reduzieren.
- Den Einsatz von Keramikkondensatoren ermöglichen und dadurch Zuverlässigkeit und Leistung verbessern.