UCC21750QDWEVM-025
SiC と IGBT トランジスタと電源モジュール向け駆動機能と保護機能の評価ボード
UCC21750QDWEVM-025
概要
UCC21750QDWEVM-025 は、コンパクトなシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ ボードであり、150 x 62 x 17mm と 106 x 62 x 30mm の各パッケージに封止済みで、SiC MOSFET と Si IGBT の各パワー モジュールに必要なドライブ、バイアス電圧、脱飽和機能をベースとする保護機能と診断機能を搭載しています。この TI 評価基板 (EVM) のベースは、沿面距離と空間距離が 8.0mm の SOIC-16DW パッケージに封止した 5.7kVrms 強化絶縁ドライバ UCC21750 です。この評価基板は、SN6505B をベースとする絶縁型 DC/DC トランス バイアス電源を搭載しています。
特長
- プログラマブル駆動電圧を搭載した10A ピーク、分割出力駆動電流
- 最大 1700V の入力レールをサポートする、5.7kVrms 強化絶縁型チャネルを 2 個搭載
- ソフト ターン オフによる脱飽和信号と内部 FET によるミラー クランプを使用した短絡保護回路
- 100V/ns を上回る CMTI を備えた堅牢なノイズ耐性ソリューション
- パワーモジュールは付属していません
絶縁型ゲート・ドライバ
購入と開発の開始
評価ボード
UCC21750QDWEVM-025 — SiC / IGBT トランジスタと電源モジュール向け駆動 / 保護機能評価ボード
TI.com で取り扱いなし
設計ツール
SLURAZ2 — UCC217xxEVM Design Files
SLURAZ2 — UCC217xxEVM Design Files
バージョン: 01.00.00.00
リリース日: 26 7 2020
製品
絶縁型ゲート・ドライバ
ハードウェア開発
評価ボード
リリース情報
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技術資料
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| 種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | ユーザー・ガイド | UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) | 2019年 9月 9日 | |||
| 証明書 | UCC21750QDWEVM-025 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2024年 1月 24日 | ||||
| データシート | UCC21750-Q1アクティブ保護および絶縁アナログ・センシング機能搭載、高 CMTI、10A ソース / シンク、強化絶縁型シングル・チャネル SiC/IGBT ゲート・ドライバ データシート (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2023年 11月 16日 | |
| データシート | UCC21750 アクティブ保護および絶縁アナログ・センシング機能搭載、高 CMTI、10A ソース / シンク、強化絶縁型シングル・チャネル SiC/IGBT ゲート・ドライバ データシート (Rev. C 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 2月 23日 |