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SNVR520 — LM5169 Quick Start Calculator
Quick Start Calculator for LM5169
TIDA-010247
面向 48V 至 1500V 储能系统的高精度电池管理单元参考设计
TIDA-010247
概述
此参考设计是一款采用堆叠式 BQ769x2 电池监测器系列的高侧 N 沟道 MOSFET 控制（多达 32 节串联）电池管理单元 (BMU)。此设计还集成了一个 CAN 接口，用于堆叠高压（高达 1500V）储能站应用的 BMU。高侧 N 沟道 MOSFET 架构和优化的驱动电路可提供轻松的开关控制。此参考设计可实现低待机和运输模式功耗，并减小两组之间的电流差。此参考设计适用于 48V 至 1500V 储能系统。
特性
- 25°C 下具有 ±1.8mV 磷酸铁锂电池电压测量精度，且具有固定失调电压调节
- 运输模式下的流耗为 7µA
- 强大的可编程电池电芯和系统保护
- 反向充电器和电池包侧高电压保护
- 高侧 N 沟道 MOSFET 和强大的驱动能力
- 通过 CAN 支持堆叠式架构，最高达到 1500V
我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证，不可用于销售。
设计文件和产品
设计文件
下载现成的系统文件，加快您的设计过程。
产品
在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。
Arm Cortex-M0+ MCU
MSPM0G3519 — 具有 512KB 双组闪存、128KB SRAM、2 个 CAN-FD、2 个 ADC、DAC 和 COMP 的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 设计指南 | 面向 48V 至 1500V 储能系统的高精度电池管理单元参考设计 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 12月 30日 | |
| 应用手册 | 采用高侧 N-MOSFET 的堆叠式 BQ769x2 设计注意事项 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 2月 10日 | |
| 应用手册 | BQ769x2 校准和 OTP 编程指南 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2021年 11月 11日 | |
| 应用手册 | DC/DC Buck Converters With Ultra-Low IQ for Industrial Battery-Pack Applications | 2019年 2月 20日 |