TIDA-00182

具有 8 输出的增强隔离型 IGBT 门驱动反激电源的参考设计

TIDA-00182

设计文件

概述

此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的加强版隔离式正负电压轨。此参考设计采用反激式隔离型控制拓扑,提供符合 IEC61800-5 标准的隔离,并从单个变压器生成用于三相逆变器所有三个臂的电源轨。输出功率当前设置为 2W/IGBT,但可通过更改变压器设计来增大到更高功率 IGBT。

特性
  • 隔离型电源,支持用于 3 个逆变器臂(每个臂为半桥配置)的 6 个 IGBT 栅极驱动器
  • 使用预调制的 24V 进行操作
  • 每个 IGBT 驱动器对应两个加强版低波纹 (<200mV) 输出:+16V (x2) 和 -8V (x2)
  • 输出功率:每个 IGBT 为 2W,并可扩展为支持更高功率 IGBT
  • 输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流
  • 可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能
  • 设计符合 IEC61800-5 标准
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设计文件和产品

设计文件

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参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDRAL5.PDF (156 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRAL4.PDF (196 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRAL7.ZIP (2745 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDC632.ZIP (324 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRAL6.PDF (872 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDRAL3.PDF (383 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD19533Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

UCC28701具有 PSR、NTC 选项和 0mV 电缆补偿功能的恒压、恒流 PWM

数据表: PDF | HTML

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 设计指南 8输出增强隔离式IGBT栅极驱动反激式电源 英语版 2016-9-28
应用手册 Analysis of Power Supply Topologies for IGBT Gate Drivers in Industrial Drives 2015-7-6
应用手册 Is Your IGBT Gate-Driver Power Supply Optimized 2015-3-12

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