PMP40182

双向电池初始化系统电源板参考设计

PMP40182

设计文件

概述

此参考设计是适用于汽车和电池应用的电池初始化参考设计解决方案。此模块可实现高效单级转换,用于对电池进行充电和放电。此设计采用 0.1% 精度的电流控制环路,采用高性能 INA225 电流感应放大器。此设计外形紧凑 (40mm x 143mm x 20mm)。 

特性
  • 用于充电/放电的 S.R. 降压/升压拓扑
  • 高达 94% 的超高效率
  • 0.1% 的高电流精度和良好的线性度
  • 分立式解决方案易于重新设计
  • 保留用于 MCU 控制和测量的接口
输出电压选项 PMP40182.1
Vin (Min) (V) 11
Vin (Max) (V) 14
Vout (Nom) (V) 4
Iout (Max) (A) 10
Output Power (W) 40
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Boost- Synchronous^Buck- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUD83.PDF (702 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRR26.PDF (305 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRR27.PDF (67 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRR28.PDF (309 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRR30.ZIP (26 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCDG8.ZIP (412 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRR29.PDF (1584 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD16570Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.82mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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MOSFET

CSD18502Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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串联电压基准

REF50低噪声、极低漂移、宽 VIN 精密电压基准

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交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

TL594具有 UVLO 的 40V、0.2A 300KHz PWM 控制器

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半桥驱动器

LM5106具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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模拟开关和多路复用器

TS5A3159A具有断电保护功能的 1Ω、5V、2:1 (SPDT)、单通道通用模拟开关

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模拟电流检测放大器

INA225具有四个引脚可选增益设置的 36V 双向电流感应放大器

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比较器

TL331高压单路差分比较器

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电子保险丝和热插拔控制器

LM50605.5V 至 65V 高侧保护控制器

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精密运算放大器 (Vos<1mV)

OPA1800.1μV/°C 温漂、低噪声、轨到轨输出、36V、零漂移运算放大器

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精密运算放大器 (Vos<1mV)

OPA2180温漂为 0.1μV/°C、低噪声、轨到轨输出、36V、零温漂运算放大器

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技术文档

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* 测试报告 PMP40182 Test Results 2017年 5月 30日

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