ISO5852SDWEVM-017
适用于 SiC 和 IGBT 电源模块的驱动和保护评估板
ISO5852SDWEVM-017
概述
ISO5852SDWEVM-017 是一款紧凑型双通道隔离式栅极驱动器电路板，可提供采用标准 62mm 封装的半桥 SiC MOSFET 和 IGBT 电源模块所需的驱动、偏置电压、保护和诊断功能。该 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 IC ISO5852SDW 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式偏置电源以及通过放大器 AMC1401 实现的温度和总线电压隔离式监控。
特性
- 20A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
- 两个 5kVrms 增强型隔离式通道，可支持高达 1700V 的输入轨
- 具有软关断和 2A 米勒钳位功能的短路保护
- CMTI > 100V/ns 的强大防噪解决方案
- 隔离式模块温度和输入轨监控
- 具有 UVLO 和 OVLO 保护的两个 2W 输出偏置电源
- ISO5852SDWEVM-017 EVM 电路板
- 不包含电源模块
隔离式栅极驱动器
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评估板
ISO5852SDWEVM-017 — 适用于 SiC 和 IGBT 电源模块的驾驶和保护评估板
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设计工具
SLLR117 — ISO5852SDWEVM-017 Design Files
SLLR117 — ISO5852SDWEVM-017 Design Files
版本: 01.00.00.00
发布日期: 15 六月 2020
产品
隔离式栅极驱动器
硬件开发
评估板
发布信息
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技术文档
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 用户指南 | ISO5852SDW Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules | 2018年 5月 24日 | |||
| 数据表 | ISO5852S 具有分离输出和有源保护特性的高 CMTI 2.5A 和 5A 增强型隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 6月 15日 | |
| 证书 | ISO5852SDWEVM-017 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019年 1月 2日 |