ZHCAEZ9 February 2025 MSPM0C1103 , MSPM0C1103-Q1 , MSPM0C1104 , MSPM0C1104-Q1 , MSPM0C1106 , MSPM0C1106-Q1 , MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G1518 , MSPM0G1519 , MSPM0G3105 , MSPM0G3105-Q1 , MSPM0G3106 , MSPM0G3106-Q1 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3505-Q1 , MSPM0G3506 , MSPM0G3506-Q1 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0G3518 , MSPM0G3519 , MSPM0G3519-Q1 , MSPM0H3216 , MSPM0H3216-Q1 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1117 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L1306-Q1 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1
该子系统演示了如何在应用中实现电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 仿真(B 型)。EEPROM 仿真允许器件在闪存存储器中仿真 EEPROM,并使其具有与 EEPROM 等效的耐用性。使用闪存存储器可以实现以下功能:
MSPM0 有两种类型的 EEPROM 仿真库。A 型 是使用静态随机存取存储器 (SRAM) 缓冲器存储一个大型数据块(64 字节、128 字节或 256 字节)。有关库的详细信息,请参阅 EEPROM 仿真 A 型设计 应用说明。B 型 是存储许多带有项目标识符的小数据项(16 位或 32 位)。有关库的详细信息,也请参阅 EEPROM 仿真 B 型设计 应用说明。
该子系统展示了 B 型 的用法。有关 A 型 子系统的信息,请参阅带闪存的仿真 EEPROM(A 型) 子系统设计。
图 1-1 展示了该子系统的功能图。
此应用需要闪存。
子块功能 | 外设使用 | 注释 |
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闪存 API | (1 ×) 闪存 | 在代码中称为 FLASHCTL |