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  • 第 3 代 C2000 实时控制器的 EEPROM 仿真

    • ZHCADD5A November   2023  – April 2024 TMS320F28P650DH , TMS320F28P650DK , TMS320F28P650SH , TMS320F28P650SK , TMS320F28P659DH-Q1 , TMS320F28P659DK-Q1 , TMS320F28P659SH-Q1

       

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  • 第 3 代 C2000 实时控制器的 EEPROM 仿真
  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 EEPROM 与片上闪存的区别
  6. 3 概述
    1. 3.1 基本概念
    2. 3.2 单存储单元方法
    3. 3.3 乒乓方法
    4. 3.4 创建 EEPROM 节（页）和页标识
  7. 4 软件说明
    1. 4.1 软件功能和流程
  8. 5 乒乓仿真
    1. 5.1 用户配置
      1. 5.1.1 EEPROM_PingPong_Config.h
      2. 5.1.2 F28P65x_EEPROM_PingPong.c
    2. 5.2 EEPROM 函数
      1. 5.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 5.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 5.2.3  EEPROM_Write
      4. 5.2.4  EEPROM_Read
      5. 5.2.5  EEPROM_Erase
        1. 5.2.5.1 Erase_Bank
      6. 5.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 5.2.7  EEPROM_UpdateBankStatus
      8. 5.2.8  EEPROM_UpdatePageStatus
      9. 5.2.9  EEPROM_UpdatePageData
      10. 5.2.10 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      11. 5.2.11 EEPROM_Program_64_Bits
      12. 5.2.12 EEPROM_CheckStatus
      13. 5.2.13 ClearFSMStatus
    3. 5.3 测试示例
  9. 6 单存储单元仿真
    1. 6.1 用户配置
      1. 6.1.1 EEPROM_Config.h
      2. 6.1.2 F28P65x_EEPROM.c
    2. 6.2 EEPROM 函数
      1. 6.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 6.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 6.2.3  EEPROM_Write
      4. 6.2.4  EEPROM_Read
      5. 6.2.5  EEPROM_Erase
      6. 6.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 6.2.7  EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      8. 6.2.8  EEPROM_UpdateBankStatus
      9. 6.2.9  EEPROM_UpdatePageStatus
      10. 6.2.10 EEPROM_UpdatePageData
      11. 6.2.11 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      12. 6.2.12 EEPROM_Program_64_Bits
      13. 6.2.13 EEPROM_CheckStatus
      14. 6.2.14 ClearFSMStatus
    3. 6.3 测试示例
  10. 7 应用集成
  11. 8 适配其他第 3 代 C2000 MCU
  12. 9 闪存 API
    1. 9.1 闪存 API 检查清单
      1. 9.1.1 使用闪存 API 时的注意事项
  13. 10源文件清单
  14. 11故障排除
    1. 11.1 常见问题
  15. 12结语
  16. 13参考资料
  17. 14修订历史记录
  18. 重要声明
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Application Note

第 3 代 C2000 实时控制器的 EEPROM 仿真

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摘要

许多应用都需要在非易失性存储器中存储少量系统相关数据（校准值、器件配置），这样即使在系统下电上电后，也可以使用或修改并重复使用这些数据。电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 主要用于此目的。EEPROM 能多次反复擦除和写入存储器的各个字节，即使在系统断电后，编程位置也能长时间保存数据。本应用报告和相关代码有助于将片上闪存存储器的一个或多个扇区定义为仿真 EEPROM，并由应用程序用于透明地写入、读取和修改数据。

本应用报告中讨论的工程配套资料和源代码可以在 C2000Ware v5.02.00.00（或更高版本）中找到，路径如下：C2000Ware_5_02_00_00/driverlib/f28p65x/examples/c28x/flash/，C2000Ware_5_02_00_00/driverlib/f28003x/examples/flash/

商标

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1 简介

第 3 代 C2000 MCU 具有以多个扇区形式排列的不同闪存存储器配置。遗憾的是，片上闪存存储器所使用的技术不允许在芯片上添加传统的 EEPROM。因此，一些设计人员使用外部 EEPROM 器件来提供此类非易失性存储。好消息是闪存存储器是一种特定类型的 EEPROM，所有第 3 代 C2000 MCU 都具有闪存存储器的在线编程功能。本应用报告将采用此功能，通过在闪存存储器内仿真 EEPROM 功能，将片上闪存的扇区用作 EEPROM。请注意，至少一个完整的闪存扇区会作为仿真型 EEPROM；因此，该扇区不可用于存储应用程序代码。

注： 第 3 代 C2000 MCU 包括：TMS320F2837x、TMS320F2838x、TMS320F28004x、TMS320F28002x、TMS320F28003x、TMS320F280013x、TMS320F280015x 和 TMS320F28P65x。

 
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