Gate-Treiber

Effiziente und zuverlässige Ansteuerung beliebiger Leistungsschalter auf jeder Leistungsstufe für jede Anwendung
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Wählen Sie aus unserem umfassenden Sortiment an isolierten, Halbbrücken- und Low-Side-Gate-Treibern, welche IGBTs, GaNFETs und SiCFETs unterstützen, um Ihr Design zu optimieren. Unsere Gate-Treiber-Lösungen, Ressourcen und unser Know-how machen es Ihnen einfacher, effiziente und zuverlässige Systeme hoher Leistungsdichte zu entwickeln.

Unsere Motorantriebslösungen vereinfachen das Design, reduzieren den Platzbedarf auf der Platine und senken die Systemkosten.

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Motortreiber


Technologien mit großem Bandabstand

Hochgeschwindigkeits-GaN-Gate-Treiber, welche hohe Leistungsdichte und ein einfaches Design für jegliche Topologie ermöglichen

Aufgrund ihrer Eigenschaften wie schnelle Timing-Spezifikationen, bleifreie Gehäuse und schmalem Pulsweitenverhalten können Sie dank unserer Treiber FETs schnell wechseln. Zusätzliche Funktionen wie Gate-Spannungsregelung, programmierbare Totzeit und niedriger interner Stromverbrauch sorgen dafür, dass hochfrequente Schaltvorgänge den höchstmöglichen Wirkungsgrad erzielen.


White paper

GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies

Dieser Artikel bietet eine Betrachtung auf hohem Niveau, wie Materialien mit großem Bandabstand gekoppelt mit dem Hochspannungssortiment von TI Stromversorgungen optimieren können.
White paper

An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. D)

Dieses Dokument stellt eine Einführung in die Lichterkennung und -Entfernungsmessung (Lidar) in der Automobilindustrie sowie Lösungen für autonome Antriebssysteme bereit.
White paper

Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)

Erfahren Sie, warum Ihre Wahl des Gate-Treibers entscheidend ist, um das volle Potenzial von GaN auszuschöpfen.

Siliziumkarbid-Gate-Treiber (SiC) für energieeffiziente, robuste und kompakte Systemdesigns

Steigern Sie den Wirkungsgrad Ihres Designs mit den starken Antriebsströmen, dem hohen CMTI und den kurzen Ausbreitungsverzögerungen unserer SiC- und IGBT-Gate-Treiber. Unsere SiC-Gate-Treiber unterstützen Sie dabei, eine robuste Isolierung in Ihrem System mit schnellem integrierten Kurzschlussschutz und hoher Überspannungsfestigkeit zu erzielen. Kleinere, leichtere und kostengünstigere Systeme durch Umstellung auf SiC bei höheren PWM-Frequenzen mit unseren schnellen, robusten und zuverlässige Treibern.


E-book

IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals

Entdecken Sie Antworten auf einige der am häufigsten gestellten Fragen zu IGBT- und SiC-Gate-Treibern.
White paper

Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)

SiC kann sein volles Potenzial nicht ohne das richtige Ökosystem realisieren, in diesem Fall Gate-Treiber. Erfahren Sie mehr über diese bahnbrechende Technologie und deren Auswirkung auf die Leistungselektronik.
Application brief

Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C)

Kennenlernen und Vergleichen der verschiedenen Kurzschlussschutzmethoden für SiC-MOSFETs.

Technical Resources

More literature

Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)

Dieser Anwendungshinweis demonstriert einen systematischen Ansatz zur Entwicklung von Hochleistungs-Gate-Treiberschaltkreisen für Anwendungen mit hohen Schaltgeschwindigkeiten.
Application brief

External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A)

Diese FAQ-Seite bietet einen übersichtlichen Einblick in unsere Lösungen für gebräuchliche Fragestellungen und Designherausforderungen im Zusammenhang mit Gate-Treibern.
White paper

Impact of an isolated gate driver (Rev. A)

Dieses Whitepaper erläutert die Vorteile und Anforderungen von isolierten Gate-Treibern in Abhängigkeit von einem Netzschalter.

Design & development resources

Referenzdesign

Referenzdesign für Leistungsstufen für DC/DC-Wandler mit <100 VIN

Dieses Referenzdesign implementiert ein Hochfrequenz-Leistungsstufendesign basierend auf dem UCC27282-120-V-Halbbrücken-MOSFET-Treiber und CSD1953-100-V-Leistungs-MOSFETs. Mit effizienten Schaltern und einem flexiblen VGS-Betriebsbereich kann dieses Design die Gesamtverluste von Gate-Ansteuerung (...)
Referenzdesign

Dreiphasen-Inverter-Ref-Design für 200 – 480-VAC-Antr. mit optoemuliert. Eingangsgate-Treibern

Dieses Referenzdesign realisiert ein verstärkt isoliertes Drei-Phasen-Inverter-Subsystem mit isolierten IGBT-Treibern und isolierten Stromspannungssensoren. Der verwendete UCC23513-Gate-Treiber verfügt über ein 6-poliges großes Gehäuse mit optischen emulierten LED-Eingängen, wodurch er als (...)
Referenzdesign

Referenzdesign für AD/DC-SMPS, 480 W, <17 mm schmal, 94 % Wirkungsgrad, schnelles Einschwingverhalte

TIDA-01495 is ein AC/DC-Stromversorgungs-Referenzdesign mit niedriger Bauhöhe (17 mm), 94,1 % Spitzenwirkungsgrad, hoher Leistungsdichte, universellem Eingang, Ausgang mit 24 V und 480 W für Verbraucher. Die Schaltung besteht aus einer zweiphasigen Frontend-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) im (...)