GaN: Die Grenzen der Leistungselektronik verschieben
Fortschritt. Das ist es, was uns antreibt, die Grenzen zu testen. Und jede Chance zu nutzen.
Galliumnitrid-Halbleiter bringen die Leistungselektronik weiter voran, wenn wir von immer kleineren Geräten mehr Energie und höhere Leistung bei geringeren Kosten fordern. Steigerung der Energieeffizienz von Datenzentren. Anwendung von Energie aus erneuerbaren Quellen möglich machen. Reduzierung der Umweltbelastung aufgrund von Unterhaltungselektronik. Seit mehr als einem Jahrzehnt nimmt TI eine Vorreiterrolle bei GaN-Innovationen ein. Von der ersten Cloud-fähigen 10-kW-Netzverbindung mit GaN bis zum ersten Topside-gekühlten GaN-FET mit integriertem Treiber – unsere hochintegrierten GaN-ICs machen die Entwicklung von Hochspannungssystemen schnell, einfach und sicher. Die nächste Revolution in der Leistungselektronik ist bereits in vollem Gange. Führen Sie sie an – mit GaN-Bauteilen von TI. Texas Instruments. Entfesseln Sie die Kraft der Hochspannung.